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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- Eddie Ho
- 高级技术销售经理
- Eddie Ho 在半导体行业从业逾 20 年，在传感器和微控制器产品的市场营销和业务发展方面经验丰富。他目前是汽车与工业类产品的高级技术销售经理。Eddie 拥有理学学士和工商管理学硕士学位。
- 钟英东
- 钟英东是IDT公司无线电源领域的业务发展经理，他拥有10年以上通信基础设施和电力应用工程的经验。在加入IDT公司之前，他曾就职于NXP公司，担任应用工程师。 He is Business development manager at IDT focusing on Wireless Power market, Eric brings 10+ years of communication infrastructure and power application engineering experiences. ..
- 邝建超
- 资深现场应用工程师
- 成立于1980 年的Integrated Device Technology (IDT), 是一所致力以创新系统优化应用和用户体验的半导体公司。邝建超是IDT的资深现场应用工程师，拥有10年以上的半导体技术支持经验，对芯片和相关应用都有全面的知识。邝先生现在主要负责IDT的电源管理芯片、马达驱动和传感器信号调整芯片的技术支持。

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