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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • Sean Gao
    • 安森美电源方案事业部业务拓展
    • 在半导体和电子行业累计超过15年的经验,有半导体器件开发和系统应用等相关职业经历,熟悉多种电源架构及设计需求。目前主要负责安森美中国区服务器及AI电源的市场推广和业务开发工作。
    • Henry Yang
    • 安森美模拟与混合信号事业部业务拓展高级经理
    • 余建
    • 安森美-技术市场部高级经理
    • 余建先生是一位拥有超过20年经验的资深市场营销专家,专注于工业和电力转换应用领域。他目前在安森美半导体担任电力解决方案部的高级市场经理。
    • Austin Shang
    • 安森美系统方案工程师
    • Austin Shang就职于安森美AMG事业部,为客户提供turn-key解决方案,方案涉及10Bsae-T1S,Auto Lighting, BLE等应用。 Austin Shang有20多年的半导体行业工作经验,专注于方案设计和固件开发。