2010年12月23日
10:00--12:00
2010年08月24日
10:00--12:30
2010年07月6日
10:00--12:00
2009年09月17日
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2009年08月13日
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2009年04月22日
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2009年03月25日
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2009年03月11日
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2008年12月9日
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2008年11月28日
10:00--12:00
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 |
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姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 |
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蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 |
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周丽娜 |
周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
| [问:] | TLA5000系列用来测DDR1，在采样率，测试探点连接，夹具方面有什么不足，可以满足时序验证的要求吗？ |
| [答] | TLA5000采样率可以到2GS/s, 可以支持的状态分析时钟是235M.可以支持DDR1的测试。但是只能手动的方法去采集和手动的解码。因为TLA5000不知道DDR分析软件的安装。 |
| [问:] | SO-DIMMDDRIII的片内终结在电路板上是如何实现的？外观上有什么区别没有，相对于DDRII来说。 |
| [答] | 片内终结电阻是在DRAM芯片内部的，和电路板没有关系的。而控制片内终结电阻的选择的是MCH(内存控制器) |
| [问:] | DDR3在长期运行中，会不会出现过热而影响性能？ |
| [答] | 有这样的可能 |
| [问:] | Read,Write的测试探点都安排在靠近DDR芯片端吗？是不是Read测试探点应该安排在DDRcontroller一端 |
| [答] | 一般建议Read在DDR controller端，write在DDR芯片端。 |
| [问:] | DDRI/II/IIIread/write分离方法有哪些? |
| [答] | 请参考我们的操作视频。 |
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