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关于本次座谈

座谈简介

瑞萨电子作为全球唯一一家提供QDR/DDR SRAM,LLDRAM,TCAM的著名半导体公司，拥有精湛的设计工艺和丰富的市场经验。作为QDR联盟两大成员之一，负责制定产品技术规格参数和长期发展路标等。独一无二的TCAM产品设计，为全球仅有的两家供应商之一。

专家介绍

陈海滨 陈海滨
通用和SoC產品中心 - 计算机网络通信市场科副理 		从事半导体应用工作多年，有丰富的客户技术支持经验，负责瑞萨USB3.0产品的技术支持及相关大客户的支持 。
于春玲 于春玲
处长 		拥有10年的半导体行业工作经验，现任职于新唐电子(中国)有限公司上海公司，负责产品的技术支持与市场推广工作。
吴频吉 吴频吉
中国通用解决方案中心
市场部/产品一科
统括经理

17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。

李浩志 李浩志
通用和SoC产品中心 - 综合营销部 - 多元通路营销科经理 		从事多类半导体产品的营销行业十多年，有丰富的市场推广及营销策略经验，现负责多元综合市场的单片机、模拟及功率器件和SoC产品营销工作。
涂结盛 涂结盛
部经理 		拥有10年以上的IC设计和韧体撰写的半导体行业工作经验，现任职于新唐电子有限公司台湾总公司，负责产品的技术技持与市场推广工作。
陈南强 陈南强
高级工程师 		拥有10年以上的IC设计和韧体撰写的半导体行业工作经验，现任职于新唐电子有限公司台湾总公司，负责产品的技术技持与市场推广工作。

精彩问答

[ 最近 10 条问答 ] [ 全部发言 ]
[主持人：ChinaECNet] 各位网友大家上午好，欢迎参加中电网在线座谈，今天我们邀请到瑞萨电子的专家,与大家共同探讨“瑞萨电子存储器产品介绍”，欢迎大家踊跃提问！   [2014-5-27 10:23:19]
[主持人：ChinaECNet] 各位网友，现在我们已经进入问答环节，如果您想重复观看刚才播放的演讲内容，请点击页面上方的“在线演示”。  [2014-5-27 10:23:40]
[问：tusondz] 只是简单的产品介绍 
[答：ringolee] 对，这是一个简介，阁下可浏览以下瑞萨电子中国的网址，以便了解有关最新及更详细的产品资料：http://cn.renesas.com/products/memory/index.jsp  [2014-5-27 10:25:20]
[问：hjb85] 贵公司存储器的工作频率如何？ 
[答：brantchen] 您好，感谢您的提问，不同产品，不同的工作频率。比如QDRII+的最高频率可以高达550MHz.LLDRAM II可以达到533MHz.等等  [2014-5-27 10:25:56]
[问：yl_1] 可用于手机,MID,打印机3个应用领域吗?主推型号分别是什么? 
[答：cindyhao] 可用于手机,MID,打印机3个应用领域，但是基于功耗等方面的考虑，需要先知道具体的要求，然后才能推荐型号。谢谢！  [2014-5-27 10:27:01]
[问：liang-1011] 瑞萨电子存储器的特点及优势？ 
[答：brantchen] 高可靠性，竞争力的价格，优良的性能  [2014-5-27 10:29:56]
[问：18782458718] 有相关资料吗 
[答：brantchen] 大部分的资料，都可以从我司网站下载，比如型号选择，数据手册等，www.cn.renesas.com  [2014-5-27 10:31:03]
[问：caohanqiao] 瑞萨有针对手机等移动产品的存储器吗？如eMMC,eMPC等 
[答：cindyhao] 目前没有针对手机等移动产品的存储器，只有通用SRAM和LLDRAM产品。若可以提供存储器方面的具体要求，我们可以再讨论。谢谢！  [2014-5-27 10:32:49]
[问：hongyancl] 有工业级产品吗？ 
[答：brantchen] 您好，感谢您的提问，我们有商业级和工业级产品。  [2014-5-27 10:35:06]
[问：jwdxu2009] 性价比如何 
[答：ringolee] 感谢您的提问；瑞萨的各类电子存储器在市场都有很理想的占有率，所以性价比确实是不低的。阁下亦可浏览以下瑞萨电子中国的网址，联络我们的认可代理商，以便了解最新的产品价格情况：http://cn.renesas.com/buy/disty/index.jsp#page=tab1-changchun  [2014-5-27 10:38:09]
[问：arthurky] 请问应用于手机，pad等低功耗应用，瑞萨主推哪类产品？ 
[答：brantchen] 移动设备，比较在乎功耗，而不是性能。所以可能会用到LPSRAM, EEPROM等。谢谢！  [2014-5-27 10:41:34]
[问：dwwzl] 大数据传输操作发热怎么样？ 
[答：cindyhao] 瑞萨的SRAM和LLDRAM产品本身是高速产品，对于大数据传输操作发热要根据具体的情况而定，不能给出具体回答。meory功耗信息在产品的datasheet中可查到。memory产品手册可在www.cn.renesas.com 上下载。  [2014-5-27 10:43:09]
[问：jiangkexiaozhen] 请问可以申请到样片吗 
[答：ringolee] 感谢阁下的提问；我们的业务主要是通过我们的认可代理商处理的，所以阁下可浏览以下瑞萨电子中国的网址，联络我们的认可代理商，以便了解有关的申请样片的情况：http://cn.renesas.com/buy/disty/index.jsp#page=tab1-changchun  [2014-5-27 10:44:59]
[问：自动化开发LZY] QDR系列芯片电压在1.8V的时候，IO输出电压最高多少？在1.5V以上吗。输入能否承受单片机2.5V左右的电压？ 
[答：brantchen] 如果VDDQ为1.8V，IO输出电压就为1.8V，最高可以达2.5V，更高就不行了，谢谢！  [2014-5-27 10:45:28]
[问：jackson2005] 请教专家,TCAM是什么?可否再说明清楚.谢谢! 
[答：cindyhao] TCAM 是三态内容寻址存储器(ternary content addressable memroy),即搜索引擎，主要用于主要用于快速查找ACL、路由等表项，所以用在路由器和交换机。谢谢！  [2014-5-27 10:46:16]
[主持人：ChinaECNet] 各位网友，现在我们已经进入问答环节，如果您想重复观看刚才播放的演讲内容，请点击页面上方的“在线演示”。  [2014-5-27 10:48:20]
[问：homenuna] Any EEprom product in Renesas? 
[答：ringolee] Thanks for your question! Renasas also has EERPOM products. We have parallel and serial type with variety of memory size and packages. Please kindly surf below URL for details:http://cn.renesas.com/products/memory/eeprom/index.jsp  [2014-5-27 10:51:43]
[问：arthurky] 介绍中的这些产品，是否有针对EPI/EMC的参考布线图。 
[答：cindyhao] 我们没有针对EPI/EMC的参考布线图，对于使用SRAM和LLDARM的布线，若需要，我们可以给出建议文件。谢谢！  [2014-5-27 10:55:19]
[问：wyxhehe] 贵公司的不同的产品在使用寿命方面有多少不同吗? 
[答：brantchen] 您好！感谢您的提问。一般来说，我们保证的产品使用年限是10年。  [2014-5-27 11:00:54]
[问：ezcui] 瑞萨电子存储器的可靠性有无保障？MTBF水平多高？ 
[答：cindyhao] 我们可以提供存储器芯片级和板级的可靠性报告，我们可保证芯片10年的使用期。对于MTBF，不同产品数值不同。在产品的可靠性报告中我们提供产品的失效率信息。谢谢！  [2014-5-27 11:00:58]
[问：arthurky] TCAM，LLDRAM，QRD，DDR这些产品是否可以应用于汽车产品？是否符合TS16949认证。 
[答：cindyhao] 抱歉，目前这些产品不能应用于汽车产品。谢谢！  [2014-5-27 11:04:12]
[问：homenuna] What is the operating temperture range for the SRAM? 
[答：ringolee] Thanks for your question! Regarding our Lower Power SRAM, the operating temperature covers from -40 to +85 degree Celsius  [2014-5-27 11:06:21]
[问：ezcui] 瑞萨有无独特创新优势？ 
[答：brantchen] TCAM: 虽然功能跟Broadcom的一样，但存储单元结构和软件算法，是完全不一样的。LLDRAM III/IV: 瑞萨自我独特接口设计，跟Micron不再兼容。  [2014-5-27 11:07:02]
[问：arthurky] 材料中提到SRAM的软错误，请问这里软错误发生主要是那些情况会造成？ 
[答：cindyhao] 软错误是指soft error，是由于材料和宇宙中粒子和射线造成的，是不可避免的。谢谢！  [2014-5-27 11:08:00]
[问：homenuna] Any free sample support for EEprom? 
[答：ringolee] Thanks for attending our seminar! As our business is mainly handled by our authorized agenst, please kindly visit the URL to contact our authorized agents to get more support on EEPROM samples applicaiton:http://cn.renesas.com/buy/disty/index.jsp#page=tab1-changchun  [2014-5-27 11:11:23]
[问：yxhua] 贵公司的QDRSRAM可否介绍下？ 
[答：brantchen] 您好！刚刚我们在网页上介绍了一遍QDR SRAM。如果你刚好没看到，可以重新点播一遍，谢谢！  [2014-5-27 11:15:35]
[问：arthurky] 瑞萨SRAM有哪些特别优势可以杜绝闩锁效应？ 
[答：cindyhao] 瑞萨的LPSRAM（低功耗SRAM）采用了先进的工艺，在每个存储单元中都有物理的大电容，因此电量比较大，可杜绝闩锁效应。谢谢！  [2014-5-27 11:17:46]
[问：jackson2005] 请教专家,SER是否为Single Error Rate的缩写?SRAM会注重SER,那DRAM是否也有SER的问题?若有,约多大?谢谢! 
[答：brantchen] SER是Soft error rate.只有SRAM有SER的问题，DRAM由于是电容结构单元，没有SER的问题。谢谢！  [2014-5-27 11:23:40]
[问：jackson2005] SRAM有物理电容,是否会因此增加运作时的功耗?及降低存储速率? 
[答：cindyhao] SRAM中只有LOW power SRAM有物理电容，该电容在设计中是避免读写的高漏电流，对于功耗没有任何影响。另外Low power SRAM的存储数率只有15MHz，不是很高，也不会对此有影响。谢谢！  [2014-5-27 11:24:14]
[主持人：ChinaECNet] 各位网友大家上午好，欢迎参加中电网在线座谈，今天我们邀请到瑞萨电子的专家,与大家共同探讨“瑞萨电子存储器产品介绍”，欢迎大家踊跃提问！  [2014-5-27 11:25:20]
[问：yxhua] Is there any specification of the rise fall time for input signal to SRAM? When the regulation can not be protected,what would happen? 
[答：cindyhao] 是的，我们有TR和Tf的推荐，若输入不满足，则Memory有可能不工作，因为无法判断输入是“1”还是“0”。谢谢！  [2014-5-27 11:26:29]
[问：dlyt03] 功耗怎么样？ 
[答：ringolee] 感谢您的提问；阁下可浏览以下瑞萨电子中国的网址，按各类电子存储器的网页下载有关产品的规格书以便查看相关功耗资料：http://cn.renesas.com/products/memory/index.jsp  [2014-5-27 11:26:59]
[问：arthurky] 瑞萨为何不使用更先进的90nm,40nm，28nm工艺来制作SRAM，而是使用0.18-0.11um工艺，这样成本不是更低吗？ 
[答：brantchen] 谢谢您的提问。我想你问的应该是LPSRAM产品。LPSRAM产品如果采用高工艺，比如90/40/28nm，成本是有优势，但是leakage current就会增加，影响功耗，谢谢！  [2014-5-27 11:29:33]
[问：aqu2k] 价格同比有没有优势？ 
[答：brantchen] 价格方面，跟主流厂家同类产品比较，我们是有竞争力的。  [2014-5-27 11:31:11]
[问：arthurky] 当SRAM发生软错误时，会有哪些影响？应该如何处理？ 
[答：cindyhao] 发生软失效时芯片会读写错误，该错误是可恢复的，不会造成芯片物理性错误。只需重新reset SRAM就可以了。谢谢！  [2014-5-27 11:32:14]
[问：hjb85] 贵公司存储器产品对散热问题是否有改善？ 
[答：cindyhao] 本公司的存储器基本上是不需要散热装置的。谢谢！  [2014-5-27 11:34:33]
[问：homenuna] Any DDRIII product? 
[答：brantchen] 你好！感谢你的提问，很抱歉，本来想英文回答你，但提交出现错误。如果你说的是DRAM, 我们没有DDR3产品。如果你问的是SRAM产品，QDR联盟已经跳过了DDRIII这代产品，只有DDRII+和DDRIV,谢谢！  [2014-5-27 11:36:08]
[问：yxhua] SRAM soft error是什么？ 
[答：cindyhao] 是软失效，是由于材料和宇宙中的粒子和射线等引起的可恢复性错误。谢谢！  [2014-5-27 11:37:24]
[问：homenuna] What is the rewrite life cycle time for the Serial EEprom? 
[答：brantchen] Thx for ur question!More than 1 Million times.  [2014-5-27 11:37:29]
[问：robdm] 铁电的性能怎么样？ 
[答：brantchen] 你好！谢谢你的提问。请问你说的是铁电性（ferroelectricity）吗？具体是哪个产品？谢谢！  [2014-5-27 11:40:40]
[问：yxhua] DDRSRAM在时钟周期可以几次读写操作？ 
[答：cindyhao] DDRII SRAM在1个时钟周期中可进行两次读或两次写，读一个读或写的地址。谢谢！  [2014-5-27 11:41:45]
[问：arthurky] 瑞萨LLDRAM和QDR是否有串口读写？ 
[答：brantchen] 你好！谢谢你的提问。我们LLDRAM IV/V就已经是串口的设计了。QDR到目前为止，都还是并口的方案。  [2014-5-27 11:47:00]
[问：hjb85] 高速数据读写随机周期性能是否有所提高？ 
[答：cindyhao] 不同的SRAM产品读写随机周期不同。QDRII B2：250MHz；QDRII B4：300MHz；QDRII+：533MHz。谢谢！  [2014-5-27 11:48:41]
[问：robdm] 就是和其他的厂商对比，你们有哪些优势？ 
[答：brantchen] 你好！谢谢你的提问。我们是全球唯一一家支持全系列TCAM,QDR,LLDRAM产品的厂家。几十年的产品设计，制造，支持经验，在国内外著名通讯设备制造商大量使用。高性能，高可靠性，稳定性，有竞争力的价格。  [2014-5-27 11:51:53]
[问：arthurky] 请问是否可以冗余设计保证SRAM发生软错误时不进行重启而保证数据继续使用？ 
[答：cindyhao] 是的，可以用冗余设计(纠错机制)来保证数据继续使用而不用重启。谢谢！  [2014-5-27 11:53:28]
[问：arthurky] 请问1.1Gb的LLDRAM和4M的LowpowerSRAM交货期如何为多久? 
[答：brantchen] 1.1G LLDRAM 和4M LPSRAM 都是已经量产的产品。关于Lead time, 请联系我们的销售部门，谢谢！  [2014-5-27 11:57:13]
[问：homenuna] what is the operation voltage of serial EEprom? 
[答：ringolee] Thanks for your questions!We have two types:One is from 1.8V to 5.5V; and another one is from 2.5V to 5.5V. Please kindly visit our URL below for details:http://cn.renesas.com/products/memory/eeprom/index.jsp  [2014-5-27 11:59:29]
[主持人：ChinaECNet] 各位网友，今天的座谈马上就要结束了，请大家抓紧时间提问。  [2014-5-27 11:59:37]
[问：jackson2005] 请教专家,FIT是什么意义?是如何计算?谢谢! 
[答：cindyhao] FIT 是指Failur in term，是以故障发生率表示的可靠性的单位。我们通常通过温循等加速老化实验来得到此数据。谢谢！  [2014-5-27 11:59:44]
[问：homenuna] What is the delivery time for SRAM? 
[答：ringolee] Thanks for your question!Regarding the delivery leadtime for SRAM, please kindly contact our authorized agents listed in the URL below:http://cn.renesas.com/buy/disty/index.jsp#page=tab1-changchun  [2014-5-27 12:01:17]
[问：homenuna] What is the price for 2K EEprom in 10k/m volumn? 
[答：cindyhao] 抱歉，我们不能给你答复，请联系我们的供应商。谢谢！  [2014-5-27 12:01:23]
[问：homenuna] Any focus part number for Serial EEprom? 
[答：brantchen] Thx for ur question!U can visit our website for more detail.Frankly speaking, we have whole lineup of EEPROM and might be more competitive on high density device.  [2014-5-27 12:01:30]
[问：arthurky] 如上LLDRAMIV/V就已经是串口的设计了。那么LLDRAM的串口读写速率和并口读写速率分别是多少？ 
[答：cindyhao] LLDRAM的串口读写速率是12.5GHz，并口的读写速率最高是800MHz。谢谢！  [2014-5-27 12:05:32]
zqizzzz22 FRAM方面有哪些产品？
[专家答：] 目前没有相关产品
yangbbb FRAM方面有在开发吗？
[专家答：] 目前没有相关信息
zqizzzz22 SRAM常用型号有哪些？
[专家答：] SRAM分低功耗SRAM和高速SRAM两种，高速SRAM包括QDR/DDR SRAM, 异步高速SRAM和网络SRAM
yangbbb SRAM性价比如何？
[专家答：] 瑞萨电子SRAM产品的性价比，极具竞争力
zqizzzz22 SRAM质保期为多长时间？
[专家答：] 请联系我们销售，不同产品，不同信息。
yangbbb 常用的SRAM小封装有哪些产品？
[专家答：] BGA165, TSOP44
liuguod 贵公司FRAM和SRAM各自的优势有哪些？
[专家答：] SRAM: 高性能，高质量，高可靠性，稳定性；供货文档，价格有竞争力
liuguod 贵公司有哪RAM的新产品？
[专家答：] SRAM分低功耗SRAM和高速SRAM两种，高速SRAM包括QDR/DDR SRAM, 异步高速SRAM和网络SRAM
lid1118 请问的SRAM的使用寿命如何？
[专家答：] 请联系我们销售，不同产品，不同信息。
lid1118 请问在RAM技术方面有哪些新的创新？
[专家答：] 行业最新的工艺技术
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  关于瑞萨电子  

瑞萨电子（TSE: 6723），科技让生活更轻松，致力于打造更安全、更智能、可持续发展的未来。作为全球微控制器供应商，瑞萨电子融合了在嵌入式处理、模拟、电源及连接方面的专业知识，提供完整的半导体解决方案。成功产品组合加速汽车、工业、基础设施及物联网应用上市，赋能数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。更多信息，敬请访问renesas.com。关注瑞萨电子微信公众号，发现更多精彩内容。

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