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| 主题：飞思卡尔MRAM(磁阻式随机存取存储器) – 一种新型存储器芯片 | ||
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| [主持人：ChinaECNet] | 各位听众（网友），上午好！欢迎参加中电网在线座谈。今天，我们有幸邀请到Freescale公司的专家就“飞思卡尔MRAM(磁阻式随机存取存储器) – 一种新型存储器芯片”举行在线座谈。在座谈中，您可就您关心的问题与Freescale公司的专家在线进行直接、实时的对话交流。中电网衷心希望通过大家的共同努力，不仅能够增进各位听众（网友）对“飞思卡尔MRAM(磁阻式随机存取存储器) – 一种新型存储器芯片”的了解和掌握，而且能够为大家事业的发展带来裨益。 | [2006-11-23 9:59:19] |
| [主持人：ChinaECNet] | 我们已经进入问答阶段如果听众想重温演讲或内容可以点击下面“回顾演示”重看演讲。 | [2006-11-23 10:29:00] |
| [问：wanjunqiao] | a. 使用飞思卡尔MRAM (磁阻式随机存取存储器) 取代 Flash 存储器的做法是否经济？ b. 目前飞思卡尔MRAM (磁阻式随机存取存储器) 最大容量是多大？ c. 飞思卡尔MRAM (磁阻式随机存取存储器) 对于X-ray scan是否安全。 比如通过火车站的安全检查扫描仪后，是否会造成存储数据损坏？ | |
| [答：飞思卡尔] | a. MRAM will be more expensive than flash but MRAM has more advantage like fast, low power and will not lose data after power off b. 4Mbit c. Xray will not affect MRAM data | [2006-11-23 10:31:29] |
| [问：superfly_gao] | 请问磁阻式随机存取存储器是怎样的一种随机存储器？它和其他随机存取存储器有什么区别和优点？ | |
| [答：飞思卡尔] | 磁阻式随机存储器是一种采用全新技术的随机存储器，它采用磁致电阻效应来保存信息，所以它的速度可以与 SRAM 媲美，但同时又象 FLASH 一样可以在掉电后保持数据。各种存储器的具体比较请看本讲义的第16和17页。 | [2006-11-23 10:31:44] |
| [问：123sir] | MRAM与以前的sram是否有兼容的接口？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM与现有的SRAM的接口是完全兼容的。 | [2006-11-23 10:32:06] |
| [问：xixixihahaha] | 该芯片的容量和可靠性如何，是否需要特殊软件容错？ | |
| [答：飞思卡尔] | The first MRAM product from Freescale is 4Mbit. It is reliable. We have 40 customer tested the MRAM before qualification. | [2006-11-23 10:32:24] |
| [问：phdc] | MRAM考磁化存储数据，如果在强磁场冲击下，比如工业环境，是否会破坏芯片内部所保存数据？ | |
| [答：飞思卡尔] | 这个问题请参考本讲义的第20页开始的 “MRAM 与外部磁场” 一节。 飞思卡尔的MRAM中内置了磁场屏蔽层， 而且采用了独特的翻转比特位技术， 因此它可以在15高斯以下的高磁场强度环境下安全工作。 | [2006-11-23 10:32:37] |
| [主持人：ChinaECNet] | 在此回答问题的专家是Freescale公司的：YK Wong、Chen Gang、Patrick Yang和Harriet Mak。 | [2006-11-23 10:33:10] |
| [问：encaon] | MRAM的存储信息是否容易受到外部磁场的干扰?是否像MOS器件那样需要采用防静电保护那样的措施? | |
| [答：飞思卡尔] | 这个问题请参考本讲义的第20页开始的 “MRAM与外部磁场” 一节。 飞思卡尔的 MRAM 中内置了磁场屏蔽层，而且采用了独特的翻转比特位技术，因此它可以在15高斯以下的高磁场强度环境下安全工作。另外MRAM的芯片特性及生产工艺与现有的COMS 器件基本上是相同的，所以只需像使用普通的COMS器件一样使用MRAM就可以了。 | [2006-11-23 10:34:29] |
| [问：eagle_chl] | 请问一下，MRAM的自刷新时间和自刷新电流是多少？ | |
| [答：飞思卡尔] | Write access time is 35nS and write current is 105mA. | [2006-11-23 10:34:31] |
| [问：月光如水] | MRAM在进行嵌入式系统设计时有没有特殊的要求？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM is pin compatible SRAM and TTL compatible. Design requirement is just design a SRAM. | [2006-11-23 10:35:11] |
| [问：gnaijnaoul] | 请问MRAM抗强电磁场干扰的性能如何？ 如开关电源中。 | |
| [答：飞思卡尔] | 这个问题请参考本讲义的第20页开始的 “MRAM 与外部磁场” 一节。飞思卡尔的 MRAM 中内置了磁场屏蔽层，而且采用了独特的翻转比特位技术，因此它可以在 15 高斯以下的高磁场强度环境下安全工作。在具体的应用中，可以采用磁强计来检测是否有高于15高斯的磁场强度存在。 | [2006-11-23 10:35:53] |
| [主持人：ChinaECNet] | 各位观众，现在用户提问很踊跃，专家正在逐一回答。请耐心等待您问题的答案，同一问题请不要多次提交。 | [2006-11-23 10:37:08] |
| [问：zhou0603] | 能否介绍一下典型芯片的应用实例。 | |
| [答：飞思卡尔] | It can be used to replace battery backed SRAM (BBSRAM), use in data storage when instane data recovery is needed in case of power failure, it can also be used in buffer for disk whe nfast data access is needed. | [2006-11-23 10:37:33] |
| [问：jimmy88531] | 这种新型的存储芯片的工作电压是多少？掉电是否还可以保存数据。 | |
| [答：飞思卡尔] | The Vdd is 3.3V, data will not lose even without power. | [2006-11-23 10:38:07] |
| [问：kangling] | 怎样实现无限的使用寿命？ why is the using life infinite? and how to succeed? | |
| [答：飞思卡尔] | The data is stored by magnetic instead of charge like flash. There is no leakage in magnetic. But flash which is using charge will have leakage. So MRAM will have a much longer data retention time. | [2006-11-23 10:39:50] |
| [问：ynkmlxw] | MR2A16A的接口方式?存储容量?价格? | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM is pin compatible with SRAM. The first product is 4Mbit. Small Qty price is $25USD. | [2006-11-23 10:41:02] |
| [问：kkwd] | MRAM能否用于像手机这种移动终端上？ | |
| [答：飞思卡尔] | Yes, it can used to replace flash, Dram, and Sram. | [2006-11-23 10:41:51] |
| [问：luogongqiang] | 如果磁场强度是脉冲的,如电源开关所引起的大电流脉冲,是否也会对MRAM造成影响? | |
| [答：飞思卡尔] | 这个问题请参考本讲义的第20页开始的 “MRAM 与外部磁场” 一节。 飞思卡尔的 MRAM 中内置了磁场屏蔽层， 而且采用了独特的翻转比特位技术，因此它可以在15高斯以下的高磁场强度环境下安全工作。我们知道磁场强度的大小主要是由电流幅值的大小和导线的几何尺寸决定的，而不取决于电流变化的快慢。所以在具体的应用中最好用磁强计来检测是否有大于15高斯的磁场存在。 | [2006-11-23 10:42:30] |
| [问：luogongqiang] | 请问专家,如果磁场强度超过15高斯,需要对MRAM采取什么样的保护措施? | |
| [答：飞思卡尔] | Magnetic field with 15 Oesteds is equal to the field of a 200A cable with 2cm distance to the MRAM which will not likely happen. | [2006-11-23 10:43:34] |
| [问：zhou0603] | a. 对芯片使用的典型电原理图，可供下载。最好有与 ARM、单片机等连接的。 b. 价格。 | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM information cna be accessed in www.freescale.com. Small QTY price is 25$USD/per piece. | [2006-11-23 10:44:18] |
| [主持人：ChinaECNet] | 各位观众，现在用户提问很踊跃，专家正在逐一回答。请耐心等待您问题的答案，同一问题请不要多次提交。 | [2006-11-23 10:45:22] |
| [问：hyjlm] | 请问这种存储器在强磁场环境下可以使用吗? 在强磁场环境下使用要注意些什么? | |
| [答：飞思卡尔] | Freescale MRAM is spec to function correctly in magnetic field up to 15 Gauss which is equal to the field generated by 200A cable within a 2cm distance. | [2006-11-23 10:46:42] |
| [问：maeleton1] | 请问飞思卡尔的专家, MRAM 的写入电流过高是如何降低的? 目前达到什么水平? | |
| [答：飞思卡尔] | 飞思卡尔的 MRAM 采用了独特的翻转比特位技术， 另外采用 0.18um 的最新半导体工艺，降低了 MRAM 的读写电流。目前飞思卡尔 MRAM 的写电流是 105mA。 | [2006-11-23 10:47:01] |
| [问：steven1998] | 35ns is access time, right? and how much is the program time? | |
| [答：飞思卡尔] | Read and write both are 35nS. | [2006-11-23 10:48:03] |
| [问：Deng] | MRAM是非易失性存储器, 它的读写以及擦除和闪存有什么区别? | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM has symmetrical read and write timing. So read and write time is the same. Flash write time is much longer and more complex. | [2006-11-23 10:49:34] |
| [问：hjbhu] | a. 价格如何？使用在嵌入式计算机上如何？ b. 能告诉MC9328MX21开发板，价格较低，何处买？ | |
| [答：飞思卡尔] | a. 如少量购买, 每片是 US$25。MRAM 是可以使用在嵌入式计算机上。 b. MC9328MX21 开发板不是这次在线座谈讨论范围。 | [2006-11-23 10:50:27] |
| [问：javadump] | 请问一下，MRAM 的读和写操作时的电流值具体是多少？ | |
| [答：飞思卡尔] | The read current is 55mA and write current is 105mA. | [2006-11-23 10:50:56] |
| [问：maeleton1] | 请问飞思卡尔的存储原理 (TOGGLE-MRAM) 和其它公司的旋转力矩转移-磁性随机存储器 (STT-MRAM) 有何区别? | |
| [答：飞思卡尔] | TOGGLE-MRAM， 即飞思卡尔的翻转比特位技术的最大优势在于， 不管是写入1， 还是写入0， 飞思卡尔的 MRAM 都可以采用完全相同的写入时序，无需擦除的过程， 只是将原有的数据位翻转即可。 这就大大简化了控制时序， 加快了速度， 并降低功耗， 提高可靠性。 这是飞思卡尔的专利技术。 | [2006-11-23 10:51:41] |
| [问：lzg_hl] | MRAM和FRAM有什么相同之处和不同之处？价位是多少？能给我发详细的芯片资料么？ | |
| [答：飞思卡尔] | FeRAM has a destructive read, this mean data is lost upon read and must be re-write after read. The data cane be lost if there is power loss during the rewrite. MRAM will not have this issue. Small QTY price for MRAM is 25$USD. Detail data can be download from freescale.com website. | [2006-11-23 10:53:18] |
| [问：woowi] | 今后MRAM会有串行接口的产品吗? | |
| [答：飞思卡尔] | Under consideration. | [2006-11-23 10:53:41] |
| [问：Deng] | 飞思卡尔的MRAM采用现有的CMOS生产工艺, 它的成本和现有DRAM, SDRAM相比, 有多大差别? 是高还是低? | |
| [答：飞思卡尔] | 飞思卡尔的 MRAM 可以采用现有的 CMOS 工艺进行生产，但它的工艺还是比现有的 DRAM 和 SRAM 要复杂一些， 成本也会高一些。 但它有着现有的 SRAM 和 DRAM 无法比拟的优越特性，而且随着应用规模的逐步扩大, 它的成本肯定会逐步降低。 | [2006-11-23 10:54:58] |
| [问：encaon] | MRAM目前的工作温度有多高? 以后是否会达到汽车电子级的温度? | |
| [答：飞思卡尔] | Current temp spec is 0-70degC. 2Q07 will be -40 to 105deg C. | [2006-11-23 10:55:09] |
| [问：foxyfox] | MRAM写操作是否可以单字节进行，而不要整页操作？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM operation is like SRAM, its byte read and write. No need to operate in pages. | [2006-11-23 10:55:54] |
| [问：oreh] | MRAM跟SDRAM哪个存取速度快，哪个成本低？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM的读写速度是 35nS，快于大多数的SDRAM产品。 但其价格比SDRAM要贵。 | [2006-11-23 10:56:36] |
| [问：Deng] | 能否详细介绍商用产品MR2A16A的主要性能以及读写驱动性能? | |
| [答：飞思卡尔] | 磁阻式随机存储器是一种采用全新技术的随机存储器，它采用磁致电阻效应来保存信息，所以它的速度可以与SRAM媲美，但同时又象FLASH一样可以在掉电后保持数据。飞思卡尔 MRAM 的具体参数可以参考其数据手册，它可以从飞思卡尔网站上免费下载。MRAM的读写接口的性能及时序与SRAM是完全兼容的。 | [2006-11-23 10:58:47] |
| [问：shijiangyi] | 磁阻式随机存取存储器在嵌入式应用中能够达到的最大容量是多少？ 速度呢？ 可否容易的集成倒 CMOS 集成中？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM technology is compaitable with CMOS, read/write access time is 35nS. Currently it is 4Mbit. Depends market requirement, Freescale can develop bigger memory size MRAM. | [2006-11-23 10:59:35] |
| [问：szbing] | MRAM (磁阻式随机存取存储器) 现在能批量供货的容量最大有多大呀，接口是那种类型的，EMC上有哪些注意事项，数据稳定性怎么样。 | |
| [答：飞思卡尔] | Its now 4Mbit, interface to external is by address and data bus whcih is TTL compatible. It is good EMC design and stable. | [2006-11-23 11:01:52] |
| [问：jnfxt95] | 一般新产品都难以通过国家标准中的电磁兼容性测试，因为标准中的电磁兼容指标比正常工作环境高。请问，MRAM 能否通过国家严格的电磁兼容性测试？ | |
| [答：飞思卡尔] | 在电磁兼容性方面，MRAM与现有的同等线径和密度的SRAM产品是相当的。 MRAM的弱点在于会受强磁场的影响，但飞思卡尔的MRAM可以保证在15高斯的强磁场下正常工作。 这样的性能是完全可以通过EMC 测试的。 | [2006-11-23 11:01:52] |
| [问：flying1983] | 有没有更大容量的产品？ | |
| [答：飞思卡尔] | Not at this moment, how big memory size do you need? | [2006-11-23 11:02:26] |
| [问：flady] | MRAM读写与闪存除了时间区别外，读写操作是类似的吗? | |
| [答：飞思卡尔] | Write is much simplier in MRAM, its just like to write a SRAM. Write a flash is more complicated. | [2006-11-23 11:04:15] |
| [问：hmilyshahu] | 您好，现在可不可以申请样片？ | |
| [答：飞思卡尔] | Samples need to be purchased from our distributor. | [2006-11-23 11:04:47] |
| [问：tqmyy] | 磁阻式随机存储器是如何解决对强磁场的抗干扰功能的。因为这款产品将用于较复杂的工业环境包括汽车上，所以较强的电磁干扰无处不在。 | |
| [答：飞思卡尔] | 这个问题请参考本讲义的第20页开始的 “MRAM与外部磁场” 一节。飞思卡尔的 MRAM 中内置了磁场屏蔽层，而且采用了独特的翻转比特位技术，因此它可以在 15 高斯以下的高磁场强度环境下安全工作。讲义中也提到了汽车中的应用，例如发动机点火线引起的强磁场。只要保证距这根线的距离大于3厘米，就不会被影响。 | [2006-11-23 11:04:54] |
| [问：jkhwa] | 希望能给一个介绍材料，简要原理性的就可以, 谢谢。 | |
| [答：飞思卡尔] | 您可在中电网网站回放在线座谈。 | [2006-11-23 11:04:57] |
| [问：lyvipo-elec] | 现阶段，MRAM的单片容量最大能做到多少？ | |
| [答：飞思卡尔] | 4Mbit. | [2006-11-23 11:05:02] |
| [问：zhou0603] | 此产品对3.3V供电电源有无特殊要求？ | |
| [答：飞思卡尔] | No special requirement. | [2006-11-23 11:05:17] |
| [问：antelopeji] | 它的价格与同等容量的Flash、RAM相比，是一个什么样的水平？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM will be more expensive but it has all the benefit of flash and SRAM in one chip. | [2006-11-23 11:05:57] |
| [问：jackliu010] | 这款产品的主要应用方向在哪呢？ | |
| [答：飞思卡尔] | It can be used to replace BBSRAM (battery backed SRAM). Application like buffer for disk which need very fast access time and data backup which needs very fast recovery after power lost. | [2006-11-23 11:08:33] |
| [问：liujincheng] | MRAM与FLASH相比寿命如何? | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM data storage use magnetic which has no leakage. Flash data storage use charge which will leak with time. So MRAM will have a much longer data retention time compare with flash, | [2006-11-23 11:09:55] |
| [问：frank.jiang] | 请问MRAM(磁阻式随机存取存储器) 需要多少伏电压供电!? | |
| [答：飞思卡尔] | 3.3V. | [2006-11-23 11:10:04] |
| [问：zhanghm911] | a. MRAM与现有处理器的接口，兼容性如何？可支持哪些处理器？ b. 在进行PCB layout 设计时，MRAM 接口需要注意哪些要点，时序等长控制、走线拓扑结构等？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM use address and data bus to interface to external. its TTL compatible. | [2006-11-23 11:10:53] |
| [问：jwfeng] | 请问专家, 这种磁阻存储器与铁电存储器相比有那些优缺点, 谢谢! | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM 的读写速度比 FeRAM 快很多。FeRAM 的读操作会对数据位造成破坏，就是说，FeRAM 每读一次数，还要重新再对它进行写入，这对应非易失的存储器是非常不利的。如果在断电过程中读数据，而又不能及时重新写入的话， 就会造成数据和永久性损坏。 另外FeRAM的读写操作对存储单元的物理性能是有影响的， 因此它的使用寿命是有限的，而MRAM就几乎无限的读写周期数。 | [2006-11-23 11:11:02] |
| [问：hdqiang] | MRAM有没有工业级的产品? 谢谢! | |
| [答：飞思卡尔] | '-40 to 105degC spec will be available in 2Q07. | [2006-11-23 11:11:36] |
| [问：lingyufeng] | 这种存储器的使用方式价格和替换性？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM与现有的SRAM是完全脚对脚兼容的，可以直接替代。 | [2006-11-23 11:11:49] |
| [问：qinjc59] | 是否可以直接兼容5V MCU的读写电平? | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM is 3V only. | |
| [问：wyjfly] | 10K 的订单价格? | |
| [答：飞思卡尔] | Around 21$USD. | |
| [问：steven1998] | Can MRAM be used as NOR-Flash purpose? | |
| [答：飞思卡尔] | I believe it can. | |
| [问：lyliu2468] | MR2A16A 的速度，容量，售价? | |
| [答：飞思卡尔] | 35nS read/write access time, 4Mbit, small QTY is 25$USD. | |
| [问：eagle_chl] | MRAM 的存储速度能到多少，与目前的SDRAM 相比有哪些优势？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM 的读写速度是一样的， 都是35nS， 这个速度甚至快过一些SRAM的速度。 与SRAM相比，它最大的优势就是它的非易失性， 就是说， 断点后数据仍能保持， 并且可以保持长达10年的时间。 | |
| [问：shizd] | MRAM 目前是否已正式发布，何时量产，国内能否买到？ | |
| [答：飞思卡尔] | MRAM already announced, already in production, you can buy this product in our distributors in China | |
| [问：kkwd] | MRAM 是否量产，可以用于什么领域？ | |
| [答：飞思卡尔] | Yes, it is in production. | |
| [问：caomeihan] | 本次讲座的胶片能不能发给我？ | |
| [答：飞思卡尔] | 您可在中电网网站回放在线座谈。 | |
| [问：swimdog] | 请问功耗如何? | |
| [答：飞思卡尔] | 飞思卡尔 MRAM 的读电流是 55mA，写电流是 105mA。但是由于它无需任何能量来维持数据，因此其漏电流几何为零。 | |
| [问：luoyili] | 请问数据保存时间? | |
| [答：飞思卡尔] | We spec 10 year but actual time will be much longer since there is no leakage in magnetic storage. | |
| [问：dreamtofling] | 现在能够批量供货了吗？ | |
| [答：飞思卡尔] | Yes. | |
| [问：woowi] | 有用户考虑用 MRAM 作为高速高安全系数甚至生命保障相关的应用吗？ | |
| [答：飞思卡尔] | These two are the target applications. Since MRAM just out, we believe there will be customers on these areas. | |
| [问：likaihit] | 这种新式存储器的材料类似于那种移动介质，是 U 盘那样的 Flash 介质还是像硬盘里的磁介质？ 谢谢！ | |
| [答：飞思卡尔] | 类似于硬盘的磁介质。 | |
| 非在线问答： | ||
| [问：] | a. MRAM与现有处理接口的兼容性如何？ 可支持哪些处理器？ b. 在进行PCB layout设计时，需要注意哪些要点， 如时序等长控制、 走线拓扑结构等？ | |
| [答：] | MRAM uses address and data bus to interface to external. It is TTL compatible. | |
| [问：] | 10的16次方？并非无限，不能连续高速读写吧？！ | |
| [答：] | 在实际的测试中，没有发现飞思卡尔的 MRAM 有任何的损耗或性能下降的现象。10 的 16 次方只是针对半导体器件本身做出的寿命估计。10 的16 次方是个什么概念？如果以 1 微秒一次的频率不停地对某一个单元进行读写，那么它的使用寿命也可达 317 年！ | |
| [问：] | Is there any plan to extend the product to high density memory like flash where now there are 1Gb products available? | |
| [答：] | Depends on market needs, Freescale will invest on different size MRAM product. | |
| [问：] | MRAM 的读写速度，目前最大容量? | |
| [答：] | Small QTY price is ~25USD. | |
| [问：] | MRAM 价位, 功耗? | |
| [答：] | 少批量: 每片 USD25。 飞思卡尔 MRAM 的读电流是 55mA，写电流是 105mA。 但是由于它无需任何能量来维持数据， 因此其漏电流几何为零。 | |
| [问：] | MRAM 容量是多少？价格如何？ | |
| [答：] | The MRAM product is 4Mbit, small QTY price is ~25USD. | |
| [问：] | 价格比同类Flash是否有优势？ | |
| [答：] | The price is higher than flash but its function is better than flash. | |
| [问：] | 请问专家这种存储器最大可以达到多大的容量? 谢谢。 | |
| [答：] | 第一款 MRAM 存储器的容量是 4Mbit。 | |
| [问：] | 请问这种存储器在强磁场环境下可以使用吗? 在强磁场环境下使用要注意些什么? | |
| [答：] | Freescale MRAM is spec to function correctly in magnetic field up to 15 Gauss which is equal to the field generated by 200A cable within a 2cm distance. | |
| [问：] | 如果外界有强磁场干扰时, MRAM的数据安全性如何? | |
| [答：] | 这个问题请参考本讲义的第20页开始的 “MRAM 与外部磁场” 一节。飞思卡尔的 MRAM 中内置了磁场屏蔽层， 而且采用了独特的翻转比特位技术， 因此它可以在 15 高斯以下的高磁场强度环境下安全工作。在具体的应用中， 可以采用磁强计来检测是否有高于 15 高斯的磁场强度存在。 | |
| [问：] | 它与Flash有什么区别？ | |
| [答：] | MRAM has symmetrical read and write timing. So read and write time is the same. Flash write time is much longer and more complex. | |
| [问：] | 有没有在嵌入式系统中使用的实例？ | |
| [答：] | 飞思卡尔的 MRAM 是与现有的 SRAM 完全兼容的， 完全可以应用到现有的嵌入式系统中。 | |
飞思卡尔半导体（NYSE:FSL）是嵌入式处理解决方案的全球领导者，提供业界领先的产品，不断提升汽车、消费电子、工业和网络市场。我们的技术从微处理器和微控制器到传感器、模拟集成电路和连接，它们是我们不断创新的基础，也使我们的世界更环保、更安全、更健康以及连接更紧密。我们的一些主要应用和终端市场包括汽车安全、混合动力和全电动汽车、下一代无线基础设施、智能能源管理、便携式医疗器件、消费电器以及智能移动器件等。公司总部位于德克萨斯州奥斯汀市，在全世界拥有多家设计、研发、制造和销售机构。
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