| 主题：用于手机的高性能、微型封装的ESD和EMI解决方案 |
| 在线问答： |
| [问：wangjade] |
请问，这些器件如果集成到被保护
芯片中，效果如何？
谢谢！ |
| [答：Liujun] |
These components are intergrated in Si Silicon wafers using
diffusion process. |
[2005-10-27 10:41:54] |
| [问：lijiang01] |
可否在详细的解释下USB1.1的保护器件 |
| [答：Liujun] |
USBUF01W6 is 2 lines EMI filters to reject EMI GSM radiations for USB1.1
connector (basically for mobile phone).
In addition to the filtering function, there is ESD protection as well
as the USB connector is exposed to external environment.
Additionnal function is speed detection thanks to pull up Resistor which
has to be connected to base band or USB tranceiver. |
[2005-10-27 10:44:28] |
| [问：wangjade] |
请问，在PCB上使用这些器件，需要
注意哪些事情？
谢谢! |
| [答：Liujun] |
All of these devices are 500 microns pitch devices and commonly used
for mobile phone industry. PCB rules recommendations (footprint) are described
in datasheets. Anyway, all components can be soldered following standard
SMD rules. |
[2005-10-27 10:46:22] |
| [问：zhaoz] |
would you summarize the guide line or checklist
of solution of ESD and EMI for high speed design? |
| [答：Expert3] |
it more depends on your daterate, Line capacitance is critical parameter
for this. |
[2005-10-27 10:47:51] |
| [问：expro] |
手机上用的EMI器件在850M和1900M能同事提供的最大地衰减是多少dB?谢谢! |
| [答：Expert4] |
ST 的产品提供35-45dB |
[2005-10-27 10:52:31] |
| [问：mmking] |
在我们设计的无线IC卡读写器中，发射频率为13.56MHz，在EMC检测中发现高频（13.56MHz的某个倍频部分，例如400MHz左右）超标，请问有什么办法能够在保证信号发射强度的情况下降低高频干扰？ |
| [答：Liujun] |
If I clearly undesrtood your need, you want to pass 13Mhz and cut 400Mhz....
In that case, I suggest to select EMI filters with high line capacitance
to get the lowest cut off frequency as possiblle. Cutt off has to be around
100Mhz.
depends of the attenuation level you need as well (coukd be -20db or -30dB...)
Basically, select hig capacitance EMI filters (higher value than 200pF)
and look at attenuation performance at 400Mhz. Min must be around -20dB.
for further details or more precise discussion, please contact ST. |
[2005-10-27 10:53:41] |
| [问：wd123698745] |
请问解决电磁干扰主要从哪些方面入手 |
| [答：Expert4] |
1.layout
2.机构设计
2.半导体器件，如ST的EMIF器件 |
[2005-10-27 10:55:37] |
| [问：chenguopeng] |
我问个问题,我们做的是智能终端类的产品,在产品中加了防ESD器件,但是并不能完全解决,后来,我们把板的器件往里面挪几厘米,效果不错,我想了解的是,这个挪的距离有没有根据,如何理解?谢谢 |
| [答：Expert3] |
ESD器件对于PCB Layout有很高要求，原则上靠近保护IC，trace越短越好。 |
[2005-10-27 10:55:44] |
| [问：luckypan] |
请介绍一下新推出的单/双线ESD保护器件。 |
| [答：Expert4] |
ESDALC6V1M3,
1.low cap; 11pF
2.small size, 0.6mm2
3.highest ESD protection level IEC61000-4
4.flexible design, for dual or sigle or Bi-channel design. |
[2005-10-27 10:59:19] |
| [问：zzkeng] |
手机和外部有联系的地方都要加ESD保护器件,关键的内部器件如DSP,功放是否也要加ESD保护器件? |
| [答：Liujun] |
first you might evaluate if your internal component is exposed to external
environment (through connectors) In that case, we suggest ESD protection
level 4 (15kV air discarge).
Otherwise, just consider HBM and Machine Model standard (around 2kV air
discharge). Check the specification of the component which might be already
protected against HBM or MM standards. If not, add external ESD protection.
|
[2005-10-27 10:59:43] |
| [问：linder] |
请问，关于手机按键的保护贵司采取什么方案？是每个按键上都加ESD保护器件吗？ |
| [答：Expert3] |
我们有专门的EMI Filter＋ESD 保护器件for Keypad，EMIF10－1K010；如果不想用EMI Filter，最好在每个按键加ESD，如果cost
sensitive， 也可以挑选敏感的位置，比方说有可能ESD直接打入的地方 |
[2005-10-27 10:59:57] |
| [问：jinyue386] |
我想请教你一个问题：若用分离元器件组成的EMI， 在选择共模电感、差模电感应注意哪些？其参数怎样确定？ |
| [答：Expert5] |
为了简化和加快您的设计,建议你最好考虑我们的IPAD器件. |
[2005-10-27 11:01:27] |
| [问：llu_1976] |
困扰我们的有两个问题：1 对于不同电压等级的带保护线没有通用型号esd 2 没有比较合适的用于嵌入式设备信号线
io口的通用esd芯片 |
| [答：Expert5] |
1.在电压等级差别不是太大的情况下,可以按照最高的电压来选择一颗通用型号.但最好还是不同电压用针对性的器件进行保护.
2.您所说的嵌入式设备信号线IO的信号电平及速率? |
[2005-10-27 11:06:25] |
| [问：chenguopeng] |
我还想问的是:防ESD加了防ESD器件,那在布板,以及与结构上有哪些需要注意的,比如说,敏感器件以及与外部有接口的地方,有什么特别的处理方法或特别注意的地方.谢谢1 |
| [答：Expert4] |
layout
1.接地路径短
2.被保护线路90度布线
3.器件靠近接口
... |
[2005-10-27 11:07:11] |
| [问：racky_guo] |
通用的ESD保护器件：ESDA系列，SOT666，SOT323封装的 ESD防护水平可以达到什么等级?
|
| [答：Expert4] |
IEC61000-4 ESD 最高等级 |
[2005-10-27 11:08:04] |
| [问：zzkeng] |
ESDA6V1M6中的二极管是否是普通二极管?采用齐纳二极管有何不同? |
| [答：Liujun] |
这不是普通的二极管，而是两颗TVS，TVS和Zener的区别是：TVS的pn结要大于Zener，因此其散热能力和耐冲击能力要比Zener更好，更适合于抑制瞬态冲击 |
[2005-10-27 11:09:29] |
| [问：youyubing] |
想请问一下：
USB端口的ESD保护器件击穿电压是多少？为什么？ |
| [答：Liujun] |
我们所说的的击穿电压是符合IEC的一个静电保护标准，目前这个标准的最高要求的是：空气放电：15kv，接触放电：8kv |
[2005-10-27 11:12:45] |
| [问：zzkeng] |
ST的ESD保护器件和其它公司如安森美半导体等相比,在性能,尺寸和价格以及可靠性上有何优势? |
| [答：Expert5] |
ST ESD器件现今处于全球第一位.在新产品推出速度,新型小封装的应用,产品的灵活运用方式以及性价比等方面都有优势.详情可咨询我们的市场部工程师
沈超 |
[2005-10-27 11:13:55] |
| [问：wliu_0001] |
能否就手机显示屏幕的闪烁问题阐述存在的干扰及相应的保护措施? |
| [答：Expert4] |
许多原因， 其中之一来自天线的EMI干扰，
1。机构屏蔽
2。LCD数据线上串联EMI filter; 如ST的EMIF0x-VID01系列产品，low cap & high attenuance.
|
[2005-10-27 11:14:08] |
| [问：riello] |
手机中ESD防护设计要从那几方面考虑?如何减小静电源与接收电路之间的场耦合? |
| [答：Liujun] |
除了要选择合适的产品（漏电流，非工作电压，击穿电压，钳制电压）外，还要合理的布线，我们有着方面非常详细的介绍，欢迎进一步联系、 |
[2005-10-27 11:15:20] |
| [问：riello] |
手机中用于ESD保护的器件有TVS管,片式压敏电阻等不同元器件,请问它们的工作原理和保护效果有何不同? |
| [答：Expert4] |
ST ESD器件采用TVS;基于硅片半导体工艺；具有稳定的clamping 效果
电阻是passive工艺；clamping 效果取决于使用次数 |
[2005-10-27 11:18:12] |
| [问：coolbor] |
请问：ESD器件在PCBLayout时都有哪些要求？谢谢 |
| [答：Liujun] |
我们有专门的文章，详细介绍这方面的问题，欢迎会后和我们进一步联系。 |
[2005-10-27 11:18:45] |
| [问：panqy] |
演讲所涉及到的st公司的esd\emi器件都是针对900m衰减的？？ |
| [答：Expert5] |
也有针对1800M,接下来甚至可以切换频率 |
[2005-10-27 11:19:58] |
| [问：guochunling] |
专家好，P14页提到的LCD的EMI保护器件，在折叠手机的实际设计时是放在上翻该LCD部分好？还是放在下翻盖的主板电路上？或者两边都各放一颗？ |
| [答：Expert4] |
靠近LCD driver(或processor);一颗足够
多数放在主板，靠近connector |
[2005-10-27 11:21:27] |
| [问：Auffray] |
Is there any camera (for mobile or not) has
already used "EMIF04/06/08-VID"? Could you please list them? |
| [答：Expert4] |
NOKIA,Motorola... |
[2005-10-27 11:22:19] |
| [问：Dasion] |
请问采用ESD保护器件和双电源隔离保护器件的区别是什么啊? |
| [答：Expert4] |
one for ESD; another for AC power; diffenent application |
[2005-10-27 11:23:24] |
| [问：panqy] |
esd器件越靠近被保护的器件越好，哪很多ic都在内部集成了esd保护，这类器件是否还需要外加esd?? |
| [答：Liujun] |
应该来说，ESD器件应该靠近干扰源， 因为在高频的时候，pcb的寄生电感不可忽略，
的确目前很多ic内部集成了esd，这就要看设计的时候需要多大等级的esd保护，如果内部集成的esd器件达不到esd的保护要求，就要考虑外加的esd |
[2005-10-27 11:24:48] |
| [问：guochunling] |
请问Expert4，“被保护线路90度布线”是什么意思？是不是布线时对EMI的输入，输出线分别采用不同的层，垂直布线？ |
| [答：Expert4] |
垂直是其中之一；详细请留下联系方式；谢谢 |
[2005-10-27 11:26:01] |
| [问：wangjade] |
刘先生你好，我的问题是，你们现在
的ESD保护电路，用来保护其他器件，
这些ESD保护电路，是否能够集成进
被保护的电路里面？
谢谢！ |
| [答：Expert4] |
可以，但是有相当的技术门槛 |
[2005-10-27 11:27:43] |
| [问：meteor_chu] |
专家能否建议在音频部分和LCD等高速电路如何选用ST的ESD产品?请给出相应的型号.谢谢! |
| [答：Expert4] |
for audio, EMIF02-MIC03F2; or ESDALC6V1M3
for LCD, EMIF0x-VID01 |
[2005-10-27 11:30:01] |
| [问：liujyniu405] |
要解决电气干扰问题，一般从哪几个方面入手考虑？ |
| [答：Expert5] |
控制干扰源,对需要保护的电路加以ESD以及EMI器件. |
[2005-10-27 11:33:49] |
| [问：chunsen] |
USB2.0 和多媒体卡的ESD保护有不同? |
| [答：Expert4] |
high speed datarate need low cap ESD and EMI filter;
USB2.0 only two data line, D+ & D-; you can use USBLC6-2P6;
multimedia card is something complicated with pull up or down resistors,
therefore, prefer to use EMIF06-HMC01 for MMC,SD card ESD & EMI protection. |
[2005-10-27 11:34:40] |
| [问：riello] |
ST的ESD保护器件是否兼有EMI降低功能? |
| [答：Liujun] |
没有，ESD器件只是针对ESD，但所有的EMIF系列产品兼有ESD和EMI过滤功能 |
[2005-10-27 11:35:58] |
| [问：lsq127598] |
在生产中对ESD的控制最简单有效的方法是？除了生产工带静电环外。 |
| [答：Expert4] |
It"s not related to the components. therefore, I can not answer this
question. But I think the best way is to control the routine that ESD
happened, and well grounded. Thanks. |
[2005-10-27 11:37:41] |
| [问：yanlong_12] |
因我们所设计的液晶显示模块用于手机，在手机有的时候通不过ESD问题，我想请教一下大概的ESD防护功能。
谢谢！ |
| [答：Expert4] |
如果您没有使用保护器件， 您很有可能遇到这样的问题，我们有全线的ESD防护器件，可以帮助您的客户通过IEEE 61000－4 standard。用于LCD显示屏的ESD器件，需要考虑datarate，可以选用较低Cline的ESD器件，或者可以考虑EMI
Filter from ST， 在防止EMI的问题同时具有ESD保护功能。 |
[2005-10-27 11:38:21] |
| [问：meteor_chu] |
ESD和EMI相互间有矛盾,如从ESD速度考虑要选用电容小的,电容小的EMI就增加了.ST的产品如何平衡这对矛盾? |
| [答：Liujun] |
这个问题很好！
所以我们在设计器件的时候，比如各个专用器件，如用于mic，spk，lcd，要综合考虑电容值和衰减率 |
[2005-10-27 11:38:33] |
| [问：xinjiangzhai] |
减小EMI时，地回路应怎样处理？ |
| [答：Expert5] |
主要考虑线路的R,L,C 等效模型在高频段造成的影响. |
[2005-10-27 11:40:08] |
| [问：wwwtoday] |
HI，因为静电的电流很小，因此可否用ZENER二极管代替。 |
| [答：Expert5] |
电流小 但瞬间电压可能会很高,所以能量.峰值功率不一定小.
具体视需要满足的测试标准而定. |
[2005-10-27 11:42:34] |
| [问：guahuahua] |
你们的ESD芯片速度、电压能达到多少，比起其他的厂家的芯片有什么优点 |
| [答：Expert4] |
ST is the leader in the area of protection around world wide.
And ST has varies of ESD devices for different applications. for instance,
USBLC6-2P6 could support protection for USB2.0, and EMIF06-HMC01 for T
flash card. |
[2005-10-27 11:44:37] |
| [问：youyubing] |
对视频信号EMI抗干扰方面ST有什么好的建议？ |
| [答：Liujun] |
你指的是lcd显示屏的emi干扰问题吗？
ST的建议是：
1. 根据实际需要，选择合适的EMI过滤器件：如针对高分率的lcd，可以用emifxx-vid系列，针对普通lcd，可以用emif10-com,emif10-lcd。
2。合理布线，lcd的数据线尽量远离干扰源，如RF，
3。阻抗匹配，减少信号反射所造成的干扰 |
[2005-10-27 11:45:51] |
| [问：maeleton1] |
ST的ESD保护器件是基于设计抗ESD的专门保护结构还是采用防止静电电荷积累的方法? |
| [答：Liujun] |
是基于ESD的专门保护结构，TVS（transient voltage suppressor） |
[2005-10-27 11:47:06] |
| [问：linder] |
I want know the ESD protection components
you mentioned are all major in 900M GSM schematic, and for high prequency
ration circuit, for example 2.4G do you have the related products? |
| [答：Expert4] |
ST"s EMI filter could support high attenuance for frequence from 400MHz
to 3G, even higher.
For instance, EMIF10-COM01 support 37dB suppress at 2.5GHz. |
[2005-10-27 11:47:45] |
| [问：chenguopeng] |
谢谢,我的意思是说,我们的产品有很多接口,在相关接口处我们已经装上了防ESD器件,那静电从接口打进来,我们在布板的时候,所有器件都离板边缘2厘米,有明显效果,那这个距离如果解释,1厘米可以吗?有何根据,原理是怎么?是不是静电形成的电场变弱了,谢谢! |
| [答：Expert5] |
考虑ESD器件前面线路的等效电感 造成的电势 |
[2005-10-27 11:48:21] |
| [问：chenguopeng] |
你们的联系方式? |
| [答：Expert4] |
意法半导体研发（上海）有限公司
上海市东川路555号 Tel: (86 21) 3405 4688
上海紫竹科学园区信息数码港四号楼4层 Fax: (86 21) 3405 4689
邮编：200241 |
[2005-10-27 11:48:54] |
| [问：shandong] |
解决静电的有效措施都有那些? |
| [答：Expert5] |
屏蔽,加 ESD 保护器件,减少静电产生等 |
[2005-10-27 11:49:23] |
| [问：linder] |
关于被保护器件的垂直走线网问题，我也想了解，请烦请发给我好么：Dawea_w@shera.com.cn |
| [答：Expert4] |
I will send to you after the seminar. thanks. |
[2005-10-27 11:50:19] |
| [主持人：ChinaECNet] |
恭喜您， 海口安讯电子产品有限公司的td_wang经过电脑抽奖您在本次座谈中获得一部MP3播放器。请网名为td_wang的用户与中电网联系(8610-82888222-7008
或 lilin@chinaecnet.com)。 |
[2005-10-27 11:50:21] |
| [问：guochunling] |
我关心“被保护线90度布线”问题，我的联系方式是：guochunling@konka.com;gdgcl@126.com .谢谢 |
| [答：Expert4] |
I"ll send to you after the seminar. thanks. |
[2005-10-27 11:51:09] |
| [问：chunsen] |
USB2.0的传输速率高达480Mbps,ST的ESD保护器件对速率有大影响?它的电容值最小能达到多少? |
| [答：Expert5] |
对,不同的速率对电容要求不一样. ST目前量产的器件可做到0.3-0.5PF,可用于DVI/HDMI/GE,当然足以应付USB2.0, |
[2005-10-27 11:51:14] |
| [问：geechen] |
USB中的电阻匹配是什么意思?是不是上下行要用不同的器件进行保护? |
| [答：Liujun] |
具体可以查阅usb的规范，其中详细的规定了各个上拉下拉电阻和串行电阻（起匹配作用），对于上行和下行，由于结构不同，我们的器件如usbuf，usbdf，
正是针对这种上行下行不同的要求而设计的 |
[2005-10-27 11:52:01] |
| [问：jacky_zhaolm] |
请问对于手机以外的产品ST是否也有ESD和EMI的方案呢？请问选择ESD器件时是否必须针对具体的信号频率呢？ |
| [答：Expert5] |
ESD 和 EMI 不仅仅针对手机.其它电子产品也有针对器件.
主要是选择EMI filter考虑频率范围.ESD 则不需要. |
[2005-10-27 11:53:03] |
| [问：zzkeng] |
抑制EMI的器件主要用在那几个部位?它对脉冲信号的影响有多大? |
| [答：Liujun] |
如mic，spk，lcd，sim，mmc，底部连接器，usb端口，
所有emi器件的产品说明书上都有频响曲线，可以查到具体对应某个频率的衰减 |
[2005-10-27 11:54:10] |
| [问：guochunling] |
在Speaker部分采用EMI器件后，原来电路中采用的交流耦合电容值是否需要调整？ |
| [答：Expert4] |
You are right, the line cap need to be adjusted if you use high cap
EMI filter. But if you can use ESDALC6V1M3 with 11pF, the impact of this
device on line cap will be limited. |
[2005-10-27 11:54:42] |
| [问：benfu] |
ST单独的ESD芯片,与集成电路内部带有的ESD在结构和功能上有什么区别?谢谢! |
| [答：Expert5] |
分立的ESD器件在可靠性,耐冲击能力,避免对数字电路产生干扰,及灵活性方面有一定的优势. |
[2005-10-27 11:54:57] |
| [问：shandong] |
对微型封装,内部走线,由于地弹跳引起的噪声如何解决? |
| [答：Expert5] |
主要考虑接地线路的等效模型吧,电感,电容,电阻等效模型. |
[2005-10-27 11:56:21] |
| [问：fcl-cq] |
请问在重庆销售点电话？ |
| [答：Expert5] |
可以联系ST成都办事处．www.stmicroelectronics.com.cn |
[2005-10-27 11:57:03] |
| [问：youyubing] |
请问模拟和数字ESD保护器的选型过程中需要注意哪些参数，两者有什么不同的选型标准吗？ |
| [答：Expert5] |
基本相同，可能在考虑串扰时，略有不同．
Ｖbr, Ppp, Leakage current,package等,更多参数可看一下数据手册 |
[2005-10-27 11:59:57] |
| [问：tony-yanke] |
在制造过程中ESD如何做到最好的防护？ |
| [答：Expert5] |
ＰＣＢ设计有讲究．
减少ＥＳＤ产生的条件，环境 |
[2005-10-27 12:01:06] |
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