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• 2011年12月20日

  10:00--12:00

  

  • 瑞萨电子DrMOS 多芯片模块介绍
  • 简 介： 符合Intel标准的DrMOS 6x6技术规范，DrMOS 多芯片模块在QFN封装内整合了上、下管MOSFET及肖特基二极管和MOSFET驱动器，内置式功率MOSFET适用于输入电压为5V/12V的应用，与功率MOSFET匹配的内置式驱动器电路。该模块还内置式三态输入功能，支持大量PWM控制器，能够实现3.3V/5V PWM信号。
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• 2011年11月22日

  10:00--12:00

  

  • 瑞萨IGBT，高效可靠，向上寻顶
  • 简 介： 节能减排、低碳经济势必推动功率半导体市场繁荣。而IGBT是功率半导体的技术前沿，具有节能效率高，便于规模化生产，较易实现节能智能化等优点，将成为功率半导体市场发展的主流技术。瑞萨电子推出的全系列IGBT器件，既有易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又有导通电压低、通态电流大、损耗小的显著优点。在节能市场领域获得较为广泛的应用。从消费电..
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• 2011年10月26日

  10:00--12:00

  

  • 瑞萨高功率因素、高效率LED整体方案迎接照明新时代
  • 简 介： 随着LED照明逐渐取代白炽灯泡，该领域的市场规模也有望持续扩大。由于LED采用直流电进行驱动，因此将商用交流（AC）电源转换成直流电源（DC）必不可少，这就需要增加交流-直流转换电路。而转换电路的不断增加又伴随着成本、转换效率和电源因数增加等问题。为了解决上述问题，瑞萨电子新推出的R2A20134 LED驱动器IC采用强大电压步降技术，能够有效控制成本并..
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