请问具体是何种应用?采用怎么的拓扑结构?
专家
FRD可以提高系统效率,成本会提高。
专家
沟槽技术,薄晶片,优化了晶元结构,以达到高性能,高效率.
专家
RJH60D ,有较高的短路保护时间,和较低的导通压降。
专家
具体报价您可与我们销售部门联系.谢谢!
专家
就是600V 产品而言,如果您的系统设计需要IGBT留有短路保护时间,可以选择我们的RJH60D/RJH60M系列产品.如果无此要求,则建议使用RJH60F系列产品,以达到更低的饱和电压和开关速度.
专家
此RC delay时间,与Rgate 及IGBT的寄生电容有关。
专家
导通电压与通过电流大致成正比例关系,损耗10W是指在连续导通模式时,可以太阳能逆变中都会再乘以一个占空比,所以损耗会低于10W。提高效率可以通过改变占空比,和提高Vgte等几个方面考虑。
专家
换用IGBT 是可行的,瑞萨有高短路时间的RJH60M ,RJH60D系列的IGBT 产品 电路拓扑要根据你的具体应用选择。
专家
感谢您的关注.希望有机会多多使用瑞萨产品.
专家
推荐使用RJH60F5DPQ(600V/40A/TO-247).
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IGBT设计时,线路布线产生的ESL及ESR,对IGBT的驱动确实有很大影响,避免此干扰请在Placement阶段,将IGBT的栅极与DRIVER 的Gate pin 尽量摆放的近一些,另外,在PCB布线阶段,要将Gate 的走线尽量短,并且尽量铺设宽一些,并且避免跨层走线,也要注意其他高速信号对Gate 线产生的干扰,尽量将高速干扰信号远离Gate 线。
专家
三相380V交流电机,是选择1200V的管子。 依据:Application voltage < 80% * rating voltage Application current < 50%*rating current (hard switching) Application current < 60%*rating current (soft switching)
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1)调整Rgate 电阻。 2)L-S IGBT的加Cge 电容,通过Cge电容来调节H-S,L-S 的IGBT导通时间。
专家
IPM 就是将IGBT 的wafer 和驱动 封装在一起的产品。 两者各有各的优缺点,具体还是要看设计者的考量角度。
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请告之变电站的断路器产品多大功率?工作频率多少?
专家
瑞萨的IGBT产品都符合RoHS标准.
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1.PCB 的SHAPE 要大,最好在top,bottom 层都有预留SHAPE. 2.Placement 时候,注意板子内部的风路走向. 3.避免热重叠现象
专家
短路时间超过5微秒,由于Q=U*I*T.会产生大量的热,从而导致IGBT 烧毁。
专家
新一代产品将会实现更低的饱和电压和开关速度.
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IGBT 效率与应用环境及周边元件有很大关系。
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效率和功率没有必然的联系
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效率视具体的应用条件而定.
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这是瑞萨IGBT产品的额定参数.请在此范围内使用.谢谢!
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线性工作范围请参考具体产品的规格书,控制中会不会产生畸变波形,与电路设计,PCB走线,Driver的驱动能力有关。
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瑞萨IGBT产品在消费电子,如变频空调,等离子电视等,和工业控制,如工业变频器,UPS,电焊机,工业缝纫机,光伏系统等,都有广泛使用.
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目前已经量产的产品为1200V,60A(25摄氏度),35A(100摄氏度)
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Mohm 级别
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Cge 的选择与PCB的走线,driver 的驱动能力有关,具体操作,建议现在板子上预留Cge 电容,然后根据时间情况对电容进行选择,一般从470PF--4.7NF的范围内选择。
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Tstg: -55degC~150degC
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温度急剧变化,IGBT表面结露,是一种自然现象。我暂时无好办法解决此现象。但是,为了避免结露产生的短路现象,我见过厂商在特定产品上灌胶密封,以达到保护的目的。
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具体报价请咨询瑞萨销售部门.谢谢!
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IGBT更适合大电流需求下使用.
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主要考虑从IGBT 的电压,电流,工作频率,Vsat 等方面选择
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VCES: Collector to emitter voltage
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600V/40A/TO-247: RJH60F5DPQ 600V/50A/TO-247: RJH60F7DPQ 相关规格书可在瑞萨网站cn.renesas.com下载
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戴其宏 通用和SoC产品中心 - 纵向市场部 经理
8年从事功率半导体器件推广经验,负责产品推广、新产品计划、市场管理等工作。
刘智坤 大中国区 模拟及功率器件产品中心 市场工程师
具从事Notebook设计经验,目前主要负责功率器件产品的推广及技术支持工作