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• 2011年11月22日

  10:00--12:00

  

  • 瑞萨IGBT，高效可靠，向上寻顶
  • 简 介： 节能减排、低碳经济势必推动功率半导体市场繁荣。而IGBT是功率半导体的技术前沿，具有节能效率高，便于规模化生产，较易实现节能智能化等优点，将成为功率半导体市场发展的主流技术。瑞萨电子推出的全系列IGBT器件，既有易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又有导通电压低、通态电流大、损耗小的显著优点。在节能市场领域获得较为广泛的应用。从消费电..
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• 2011年11月17日

  10:00--12:00

  

  • Silicon Labs高价值的USB单片机的解决方案
  • 简 介： 随着市场多元化应用的迅猛增长，特别是对接口技术的创新与简化，Silicon Labs將為大家提供業界領先的USB接口的解決方案。    本场研讨会由大联大旗下富威集团与美国芯科实验室Silicon Labs重磅推出，将为各位详细介绍「Silicon Labs高价值的USB单片机的解决方案」，从而让Silicon Labs的MCUs with integrated USB及USB-to-UART br..
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• 2011年11月15日

  10:00--12:00

  

  • 双管反激式解决方案：用于75~200W应用的理想解决方案
  • 简 介： 高效率和低待机功耗是现今开关电源设计的两大难题，由于谐振拓扑或LLC拓扑能够满足高效率的要求，因而日益流行。然而在这种拓朴中，前PFC级必须在轻负载期间保持运作，造成谐振回路中存在内循环损耗，待机功耗成为一个头疼问题。对于没有附加辅助电源的应用，LLC谐振拓扑难以满足2013 ErP等新法规中，在0.25W负载下输入功率低于0.5W的要求。双管反激式拓朴..
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