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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 戚威伦
    • 应用工程师
    • 戚威伦先生目前为美国磁性材料公司(Magnetics International)应用工程师以及亚洲区工程部人员的代表,他对于磁粉芯和铁氧体在开关电源中的应用和差异,以及各种不同的磁性材料在磁导率,温度和损耗率的变化比较上,都有相当丰富的经验及研究。他先前于加拿大的McMaster University (位于Hamilton, Ontario)取得电子工程学学位,并曾经于香港知名外商..