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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 张堃
- 市场部高级经理
- 富士通电子元器件（上海）有限公司高级产品经理，就职于富士通电子元器件（上海）有限公司市场部，负责富士通FRAM/RFID和MCU嵌入式的产品规划和市场推广，以及大中国市场的业务。拥有10多年的电子行业从业经验，先后从事过MEMORY & MCU嵌入式产品的研发，技术支持和应用推广工作。
- 孙国伟
- FAE
- 从事半导体行业多年，拥有丰富的行业技术经验，主要方向电源管理芯片及功率器件的应用。加入富士通半导体之后，从事电源管理芯片以及功率器件的技术支持工作。
- David Du
- 现场应用高级经理
- 现任富士通半导体（上海）有限公司FAE部门现场应用经理，主要负责华东，华中地区富士通单片机及汽车电子相关产品（如图形控制芯片等）的技术支持与业务拓展。从事单片机技术支持工作多年，拥有丰富的专业经验，熟悉富士通各系列单片机产品。拥有东华大学机械电子专业硕士学位。
- 赵辉
- 高级产品工程师
- 现任富士通半导体（上海）有限公司市场部高级产品工程师，主要负责中国地区富士通单片机相关产品的市场推广。

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