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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 李蓉
    • Abracon亚太区高级技术经理
    • 负责Abracon亚太区产品技术支持和应用推广。硕士毕业于华南理工大学,曾就职于中电科集团、Cypress半导体,高通无线通信等公司,从事通信设备、信号与系统硬件研发,半导体应用支持等技术工作。拥有多年电子元器件行业产品设计和应用经验,对电子元器件产品和系统设计均有深刻的理解。