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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 主讲老师
  刘国华 (King Liu)
- 艾睿电子
  应用工程经理
- 拥有超过 15 年的嵌入式系统设计经验。2015 年加入艾睿电子，负责 AI IOT、汽车电子相关的域控制器、BMS、T-BOX、ADAS等应用领域的参考设计和客户技术支持工作。
- 黄国森 (Sam Wong)
- 艾睿电子
  高级应用工程师
- Arrow Engineering Solutions Center 高级应用工程师，主要负责电源解决方案的应用与开发，例如90W USB PD充电器、6.6kW车载充电器 (OBC) 解决方案、6.6kW储能系统 (ESS) 等。
- 徐芳明
- 艾睿电子FAE经理
- 徐芳明先生负责 Silicon Labs 产品已有 10 多年，并且对 SubGHz、BLE、Zigbee 相关产品拥有丰富的市场推广与技术支持经验。
- 答疑老师
  李志鸿 (Hung Li)
- 艾睿电子
  高级应用工程师
- 超过 25 年在射频及 IoT 产品的应用及设计经验。曾任 TI、FSL 等 IC 供应商的射频产品的推广及应用支持。于 2018 年加入 Arrow，负责支持射频、IoT 及 ToF 等产品的应用支持及专案项目研发。

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