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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 张广学
- 技术支持工程师(FAE)
- 目前任职于大联大集团友尚股份有限公司，担任技术支持工程师，主要负责MSP430/Cortex-M3/M4/C2000的技术支持工作，多年的研发背景奠定了技术支持基础，三年的市场营销经验使我能够深刻理解客户的需求，协助客户完成产品的设计，直至量产。
- 曾维贵
- 友尚应用工程师(FAE)
- 拥有6年电力电子产品开发经验及4年TI数字产品技术支持经验。主要专注于电机驱动器、数字电源，致力于为客户提供优质的产品平台及相关方案。
- 侯功岩
- 友尚应用工程师(FAE)
- 拥有5年DSP产品开发经验。曾担任RDPDT、PM等职位，参与了数款机电一体化产品的研发工作。在电力电子技术、数字信号处理等领域有较多的开发经验。
- 彭宏业
- Yosun Dedicate TI MCU 应用工程师
- 拥有10年嵌入式系统开发及技术支持工作经验，目前任职于大联大集团旗下友尚华南科技(深圳)有限公司专职TI MCU技术支持工作，熟悉电机控制及数字电源产品的应用及开发，为客户提供最新的产品信息和技术解决方案及软硬件技术支持。

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