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IGBT与可控硅的区别？

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。
请教专家：IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项？

失效模式有电压击穿，以及热损坏。失效机理为反冲电压过高，以及功率超过器件规格
从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开，需要多长时间？

需要看ＩＧＢＴ的关断性能。Ｔｆ时间有些长有些短，而且也依靠外部的放电回路

- 张堃
- 市场部高级经理
- 富士通电子元器件（上海）有限公司高级产品经理，就职于富士通电子元器件（上海）有限公司市场部，负责富士通FRAM/RFID和MCU嵌入式的产品规划和市场推广，以及大中国市场的业务。拥有10多年的电子行业从业经验，先后从事过MEMORY & MCU嵌入式产品的研发，技术支持和应用推广工作。
- 孙国伟
- FAE
- 从事半导体行业多年，拥有丰富的行业技术经验，主要方向电源管理芯片及功率器件的应用。加入富士通半导体之后，从事电源管理芯片以及功率器件的技术支持工作。
- David Du
- 现场应用高级经理
- 现任富士通半导体（上海）有限公司FAE部门现场应用经理，主要负责华东，华中地区富士通单片机及汽车电子相关产品（如图形控制芯片等）的技术支持与业务拓展。从事单片机技术支持工作多年，拥有丰富的专业经验，熟悉富士通各系列单片机产品。拥有东华大学机械电子专业硕士学位。
- 赵辉
- 高级产品工程师
- 现任富士通半导体（上海）有限公司市场部高级产品工程师，主要负责中国地区富士通单片机相关产品的市场推广。

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