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精彩问答

主题:Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

  • GaN HEMT目前性价比还有待提高吧?

    是的

  • 和IGBT比反应速度如何

    和IGBT比差不多得快10倍的速率

  • 高频MOS管有没有

    GAN本身就是高频功率器件

《 进入座谈详情

专家

    • 阎金光
    • 首席技术培训师
    • 毕业于哈尔滨工程大学电子工程专业,早期工作于中国科学院沈阳科学仪器研制中心,从事线性及半桥开关电源产品的研发。2001年加入Power Integrations,作为高级技术应用支持工程师致力于开关电源IC的推广及应用工作。在对客户产品研发、生产提供技术支持的过程当中积累了丰富的现场及应用技术知识。目前工作于Power Integrations圣何塞总部,主要负责Power ..
    • 张学武
    • Power Integrations
      电机驱动FAE工程师
    • 负责BridgeSwitch产品的技术方案推广及支持。曾就职于FUTURE ELECTRONICS,从事技术解决方案的推广与支持;长期专注于空调,空气净化器,冰箱等家电产品中电机驱动方案的开发和推广。拥有丰富的产品软硬件研发,项目管理等工作经验。