2025年9月16日
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2021年9月15日
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2020年6月16日
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2017年7月11日
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2015年10月28日
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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?
在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?
是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?
可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值