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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- Bill Xu
- Bill Xu德州仪器系统工程团队（SEM）医疗影像系统工程师（Medical-Imaging）。主要工作方向为成像系统电子线路设计与技术方案支持，涵盖超声成像，x线与CT成像、磁共振成像系统、PET成像系统等医疗影像系统软硬件设计与技术方案支持。目前主要为医疗影像客户提供各种参考设计方案。
- Rogelio Armino
- 德州仪器系统工程团队（SEM）医疗团队系统工程师。主要工作方向为医疗可穿戴设备的相关系统设计，包含连续血糖监测，ECG Patch & Holter，血压检测和血氧检测等应用设计方案。
- Matthew Chen
- 德州仪器系统工程团队（SEM）医疗团队系统工程师。主要工作方向为体外诊断相关系统设计，包含光信号链，电化学传感器，电机控制，TEC驱动控制和液位检测等应用设计方案。
- 梁伟锋
- Embedded Driver Engineer
- Vefone Liang拥有电子信息专业学士学位，是广州创龙电子科技有限公司的嵌入式驱动工程师。他的专业领域是TI的嵌入式工业控制和视频处理产品，包括TI的Sitara系列处理器、Davinci系列处理器的开发和方案研究。目前专注基于AM335x、 AM437x、AM572x、DM814x、DM816x的工业及视频应用方案，拥有丰富的嵌入式开发经验，同时擅长产品定义和定制开发合作..

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