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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • Vincent Li
    • Maxim高级工程师
    • 主要负责Maxim电源产品的技术支持以及电源参考设计的开发,有五年的开关电源研发经验。
    • 辛毅
    • Maxim TTS应用工程师
    • Maxim TTS应用工程师,负责Maxim产品的技术支持与培训,从事对日本的技术支持。于2018年加入Maxim,毕业于香港中文大学和复旦大学,分别获得理学硕士和理学学士学位。
    • 贾宁
    • 技术支持工程师
    • 美信公司技术支持工程师,负责信号链相关产品和应用的技术支持。2007年研究生毕业于北京邮电大学通信工程专业。2018年加入美信公司。
    • 方良
    • 美信公司Core Product Group 事业部资深应用工程师
    • 方良现为美信公司Core Product Group 事业部资深应用工程师,主要负责解决方案、技术培训、技术支持等。在行业工作近8年,重点关注工业和医疗应用,熟悉模拟和数模混合集成产品电路及应用