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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

- Frederik Dostal
- 电源管理专家
- 现任ADI公司电源管理专家，在ADI任职15年，并深耕电源管理领域，累计拥有23年丰富的行业经验。
- Sarvesh Pimpalkar
- ADI公司工业机器人系统应用工程师
- Sarvesh Pimpalkar是一名系统应用工程师，在ADI公司的工业边缘、运动和机器人团队工作，专注于研发移动机器人。他的专业领域是Linux和嵌入式系统的软件系统设计和产品开发。他拥有都柏林城市大学电子与计算机工程硕士学位和孟买大学电子工程学士学位。在加入ADI公司之前，Sarvesh曾担任设计工程师，负责开发各种工业产品的硬件、固件和自动化。
- Shane O’Meara
- ADI公司软件系统设计工程高级经理
- Shane O'Meara是ADI公司工业自动化事业部的高级经理，常驻爱尔兰，从事软件系统设计工程工作，侧重于为工业机器人开发软件。他于2011年加入ADI公司，担任产品应用工程师，致力于推动电机控制应用中精密ADC的技术发展。Shane毕业于利默里克大学，获工程学士学位。加入ADI公司之前，他曾在不同的岗位上负责汽车电子和视觉系统领域的工作。
- 李明翔
- 系统应用工程师
- 李明翔在ADI中国担任系统应用工程师职位，于2023年加入ADI，目前主要负责视觉传感及串行通信系统的应用。在加入ADI之前，在北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院获得学士和硕士学位。

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