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精彩问答

主题:Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

  • GaN HEMT目前性价比还有待提高吧?

    是的

  • 和IGBT比反应速度如何

    和IGBT比差不多得快10倍的速率

  • 高频MOS管有没有

    GAN本身就是高频功率器件

《 进入座谈详情

专家

    • 戴梦麟
    • 亚太区技术经理兼SoC專家
    • 戴梦麟现为美高森美公司(Microsemi)亚太区技术经理兼SoC专家, 自2000年10月加入爱特公司(Actel)担任应用工程师到现在为止已在公司服务超过10年以上。 在此之前,戴先生原任香港通讯科技中心研发经理,负责ASIC设计部门。戴先生有超过10年丰富的ASIC 设计经验。戴先生持有香港城市大学的电子工程学士和计算机硕士学位