光伏与储能是能源电力系统实现能量转换、存储利用的有效途径，在推动碳达峰碳中和方面发挥显著作用。SiC凭借自身导通电阻低开关损耗小的优势，代替传统Si器件为大势所趋，可有效助力光伏与储能系统，节约全球能源。Wolfspeed SiC产品能够帮助实现高开关频率的同时提高系统转换效率和功率密度，以较低的系统成本实现更小、更快、更高效、更便捷的光伏与储能系统。
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刘颖 Wolfspeed 应用工程师 |
2019年毕业于哈尔滨工业大学，并取得电力电子及电力传动专业的硕士学位。随后加入Wolfspeed至今，致力于SiC在服务器电源、车载充电等功率变换的应用与支持。 |
| 问： | 提前提问有礼品吗？ |
| 答： | 有机会获礼品哈 |
| 问： | 不能参加会有回复吗？ |
| 答： | 有回放的 |
| 问： | Wolfspeed 的碳化硅和氮化镓哪个更突出？ |
| 答： | 两种材料，Wolfspeed |
| 问： | Wolfspeed 的碳化硅和氮化镓哪个更突出？ |
| 答： | 两种材料，Wolfspeed都有突出优势，广泛应 用于电源产品和射频产品 |
| 问： | Wolfspeed 的产品主要用于哪个行业？汽车？ |
| 答： | 工业中的光伏，储能，汽车行业的OBC |
| 问： | 优势有哪些？ |
| 答： | 耐高压，开关速度高，导通阻抗小 |
| 问： | 贵公司的sic有那些特色和优势? |
| 答： | 最早研究SiC的厂家，是SiC Mosfet具有垂直产业链 |
| 问： | 贵公司的sic有那些特色和优势? |
| 答： | 是SiC Mosfet的发明者，具有垂直产业链：材料，晶圆，晶片，单管，模块等产品 |
| 问： | Wolfspeed是原科税吗？ |
| 答： | 是的 |
| 问： | SiC产品越来越在市场上占据一定的量，未来有没有可能取代硅？ |
| 答： | 市场占有率一定是越来越高 |
| 问： | SiC产品越来越在市场上占据一定的量，未来有没有可能取代硅？ |
| 答： | 在很多领域能够取代传统硅，体现出的优势是：高频，高效，高功率密度 |
| 问： | 碳化硅应用在光伏市场空间非常广阔，Wolfspeed可带来什么创新? |
| 答： | 更高的效率（发电量更多），重量更轻，体积更小 |
| 问： | 都有啥奖品 |
| 答： | 网页上有 |
| 问： | 30KW光伏逆变器项目，是用IGBT单管还是使用IGBT模块，两者的区别是什么？ |
| 答： | 可以选用SiC方案：SiC Mosfet+SiC diode，更高效率，更高功率密度 |
| 问： | 提高功率密度的关键技术是什么？ |
| 答： | 提高频率，优化磁感器件、散热系统 |
| 问： | 写错一个单位符号，应为kW，非KW |
| 答： | 谢谢这位认真的朋友，感谢 |
| 问： | 如何减小光伏逆变器的漏电流？ |
| 答： | 一般选取H5,H6桥以及选择3电平等多电平技术来减少漏电流 |
| 问： | Wolfspeed SiC在行业内突出特点是什么？ |
| 答： | 拥有SiC 垂直产业链的产品，可以更好的保证供应以及产品的升级换代，保持在行业内的领先优势 |
| 问： | 以后会应用在汽车动力工业吗？ |
| 答： | 是的 |
| 问： | 目前我们储能才用的是IGBT，如果改为SiC，驱动和整个尺寸兼容性如何？ |
| 答： | 主要看選用的方案, 驅動是會多了1點元件, 但整體尺寸分別不大 |
| 问： | 目前我们储能才用的是IGBT，如果改为SiC，驱动和整个尺寸兼容性如何？ |
| 答： | 可以做到更小的尺寸，因为SiC但是要注意PCB布局以及驱动的设计 |
| 问： | 目前我们储能才用的是IGBT，如果改为SiC，驱动和整个尺寸兼容性如何？ |
| 答： | 好的 |
| 问： | SiC与传统Si相比有哪些亮点？ |
| 答： | 耐压更高，开关速度更快 |
| 问： | 分布式光伏逆变器采用的主要拓扑及控制方法？ |
| 答： | 单相的话常用H5,H6桥逆变器，三相的话常T 形逆变器 |
| 问： | Wolfspeed 碳化硅晶圆 最大是多少的？ |
| 答： | 目前Wolfspeed已经量产8inch的晶圆（目前业界最大尺寸 ） |
| 问： | 专家可以聊聊碳化硅是如何降低能源的吗？Wolfspeed 又有什么特殊的措施？ |
| 答： | 是指能耗吗？如果是的话，1）更低的阻抗，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；（2）更高频率的运行，能让被动元器件做得更小；（3）能在更高温度下运行，意味着冷却系统可以更简单。 |
| 问： | SiC产品越来越在市场上占据一定的量，未来有没有可能取代硅？ |
| 答： | 是有這個可能的, 因為市場的要求會越來越高 |
| 问： | SiC器件适合最高多少功率等级的光伏电站？ |
| 答： | 几kW |
| 问： | SiC器件适合最高多少功率等级的光伏电站？ |
| 答： | 几kW -几百kW都有应用 |
| 问： | 传统Si面临哪些瓶颈？Sic解决了哪些以前的难点？ |
| 答： | SIC耐壓高, 開關速度快 |
| 问： | 碳化硅具有哪些特点，对系统有哪些好处。 |
| 答： | 耐壓高, 開關速度快, 可有效提高功率密度 |
| 问： | Wolfspeed SiC产品主要技术优势在于哪些方面？ |
| 答： | 产品成熟，已经在市场上有十多年的应用经验；产品丰富，wafer |
| 问： | Wolfspeed SiC产品主要技术优势在于哪些方面？ |
| 答： | 产品丰富，wafer、die、discrete、module都有非常全的产品，电压含跨650~10kV |
| 问： | 有哪些成熟的应用方案？ |
| 答： | 在官网上有相关的参考设计，涵盖各种应用 |
| 问： | 相比Si IGBT,?SiC MOSFET有些什么优势和特性?在驱动电路上有何不同? |
| 答： | SIC 要用到負電壓驅動, 都有方案, 詳情可找我們 |
| 问： | 光伏逆变器的效率和那些因素有关?如何提高效率? |
| 答： | 拓扑、功率器件以及容性和磁感等；SiC 器件的开关损耗更低，更小的导通损耗（基于相同电压，内阻可以做的更低 ） |
| 问： | 和氮化镓器件相比,驱动SiC MOSFET有什么不同和难点? |
| 答： | SiC Mosfet是垂直结构，抗冲击电流、抗雪崩能力更强；应用传统封装，可选替代多 |
| 问： | 在光伏系统中,如何选择系统的拓扑和SiC MOSFET器件? |
| 答： | 要看產品的規格, |
| 问： | 请问专家,能否介绍22kW双向充电器的主要元器件?谢谢! |
| 答： | 详细的情况 请看参考设计资料。SiC Mosfet选用C3M0032120K，4pin |
| 问： | wolfspeed 的SiC驱动电压最高多少？负压需要多少？ |
| 答： | C3M 系列，平台电压推荐-3V/+15V，尖峰电压范围：-8~+19V |
| 问： | 请专家详细解释SiC MOSFET是如何提高电源转换效率的？谢谢! |
| 答： | 导通阻抗小，高开关速度可以减少被动器件尺寸 |
| 问： | 直播有回放吗 |
| 答： | 有的有的 |
| 问： | 来晚了，专家有回放吗？ |
| 答： | 有回放 |
| 问： | 从仿真效果分析性价比如何？ |
| 答： | 从系统性能看，SiC方案具有更高效率、更高功率密度的优异性能，系统成本跟Si差不多 |
| 问： | 从仿真效果分析性价比如何？ |
| 答： | 系统成本跟Si方案差不多，甚至可能更低 |
| 问： | 光伏与储能可以直连还是要隔离？ |
| 答： | 一般是要隔离 |
| 问： | 和Infineon公司的CoolSiC MOSFET相比, Wolfspeed的碳化硅器件好在哪儿？ |
| 答： | 经历了10多年市场应用 检验，可靠性高；产品丰富， |
| 问： | 逆变器的的关键技术点是那些指标？ |
| 答： | 这是要分是并网还是离网，也是要看应用。比如输出误差，THD,带载能力等等。。。 |
| 问： | Wolfspeed 碳化硅晶圆 最大是多少的？ |
| 答： | 大批量供货的是6inch |
| 问： | Wolfspeed 碳化硅晶圆 最大是多少的？ |
| 答： | 8inch 也已经开始量产 |
| 问： | SiC 是用到逆变还是哪点上的 |
| 答： | 基本上整機的SI 元件都可替換成SIC |
| 问： | 光伏逆变器为何向高频方向发展 |
| 答： | 高频可以降低整个系统的尺寸 |
| 问： | 今天分享的文档能下载吗？ |
| 答： | 有直播回放 |
| 问： | 能否介绍一下woldspeed公司概况？ |
| 答： | 1987年成立，2021年10月在纽约交易所重新上市，更名为Wolfspeed，更加集中资源发展SiC 在电源和射频市场的应用 |
| 问： | 光伏逆变器为何向高频方向发展 |
| 答： | 高頻可提高功率密度, |
| 问： | SiC mosFET和Si mosFET的驱动阀值电压相同吗？ |
| 答： | 不同 |
| 问： | SiC mosFET和Si mosFET的驱动阀值电压相同吗？ |
| 答： | SiC Mosfet的Vth 稍低，所以设计时要非常注意，用负压关断，提高可靠性 |
| 问： | 有高压辅助电源的解决方案？ |
| 答： | 有的, 詳細可以找我們 |
| 问： | 有高压辅助电源的解决方案？ |
| 答： | 高压辅助电源解决方案怎么获取？ |
| 问： | 如果后期想测试wolfspeed SiC mosfet产品，可以通过哪些渠道采购 |
| 答： | 可以联系Arrow， https://www.arrow.com/zh-cn |
| 问： | 并联怎么设计 |
| 答： | 并联设计特别要注意PCB的对称布局，使不同管子的驱动信号和功率信号尽量对称 |
| 问： | 碳化硅(SiC)器件在抗电流冲击方面是不是略差点？ |
| 答： | 这也要看整体设计，功率器件只是一方面，还要看滤波电路以及防雷电路、PCB layout |
| 问： | 碳化硅(SiC)器件在抗电流冲击方面是不是略差点？ |
| 答： | 总之，相关的因数很多，要看实际设计的侧重点 |
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