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• 2011年12月20日

  10:00--12:00

  

  • 瑞萨电子DrMOS 多芯片模块介绍
  • 简 介： 符合Intel标准的DrMOS 6x6技术规范，DrMOS 多芯片模块在QFN封装内整合了上、下管MOSFET及肖特基二极管和MOSFET驱动器，内置式功率MOSFET适用于输入电压为5V/12V的应用，与功率MOSFET匹配的内置式驱动器电路。该模块还内置式三态输入功能，支持大量PWM控制器，能够实现3.3V/5V PWM信号。
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• 2011年12月15日

  10:00--12:00

  

  • 面向市场需求的下一代智能负载开关
  • 简 介： 负载开关在电子行业中实现了长期的成功，并在计算、消费和汽车电子等应用获得广泛使用。随着便携产品被广泛视为负载开关的重要细分市场，电压和电流开关的概念随着市场需求的变化而演进。手机和其它电池供电产品的市场巨大且快速增长，而新的特定需求往往需要新型的负载开关，以节省电能并延长电池的使用时间。下一代的负载开关必须适应各种类型的众多不同..
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• 2011年12月14日

  10:00--12:00

  

  • 全能型PLD – XO2
  • 简 介： 这次研讨会首先会简单介绍一下Lattice公司的背景及公司产品。之后我们将重点关注于Lattice公司的最新全能PLD器件XO2。XO2是一款65nm Flash+SRAM工艺的PLD产品。我们将介绍一些基于这款产品的优化技术，例如：优化的总线接口方案、降低PCB成本与面积的技术、如何在系统设计中控制功耗的技术。同时还将讨论一些与XO2有关的实际产品的使用例子以及XO2产品的相..
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