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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 林明赞 博士
    • 雅特力科技
      马达应用软件资深工程师
    • 负责电机控制方案软硬件的技术开发,在无感FOC矢量、无感六步方波与伺服定位等交流电机控制MCU算法,以及电机驱动器硬件电路设计方面拥有十余年技术经验。负责许多家用、商用与工控项目的开发,并拥有电机控制与电源等方面的应用专利十几项。