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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 王又法
- 研发及应用主管工程师
- 王又法，博士，现在在安华高科技公司(Avago Technologies)任研发及应用主管工程师。毕业于中国南京理工大学电子工程系，并获上海大学电子工程硕士学位和无线电物理博士学位。
- 周明
- 市场营销技术工程师
- 2001年毕业于湖南大学应用物理系，微电子专业，获工程学士学位。 2006年加入安华高科技公司(Avago Technologies)，任市场营销技术工程师，在此之前，曾在阿尔卡特公司(Alcatel)担任硬件研发工程师。爱好：钓鱼，旅游，看电影，游泳。
- 陈秋燕
- 高级应用工程师
- 陈秋燕任安华科高科技无线半导体部门的高级应用工程师，主要从事RF放大器应用的相关工作。她毕业于马来西亚理工大学，获电子通信学位。可以通过chew-ean.tan@avagotech.com与其联系。
- 苏志荣
- 产品行销经理
- 苏志荣任安华高科技无线半导体部门 GaAs pHEMT器件的产品行销经理。他毕业于马来西来多媒体大学，获电子工程学位。可以通过chee-yong.saw@avagotech.com与其联系。

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