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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 赵明飞
    • 技术合作顾问
    • 赵明飞 北京中电网信息技术有限公司技术合作顾问,西安交通大学微电子校友会理事。毕业于西安交大电气学院先后任职于国家电网电力科学研究院和南瑞集团公司。拥有13年的传感器设计、主站及嵌入式开发经验,7年管理经验。 2013年,创立北京驰光科技有限公司,从事冷链物流监控产品研发。2014年,专注于低功耗广域网技术开发,带领一只国内最早从事LoRa技术..