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精彩问答

主题：Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

• 

  GaN HEMT目前性价比还有待提高吧？

  是的

  
• 

  和IGBT比反应速度如何

  和IGBT比差不多得快10倍的速率

  
• 

  高频MOS管有没有

  GAN本身就是高频功率器件

  

《 进入座谈详情

专家

• 
  • Sheldon Shi
  • Stratasys售前及应用工程师
  • Sheldon毕业于俄亥俄州立大学工业设计系，在加入Stratasys之前，他曾担任产品设计师。他对于三维软件的使用以及3D打印机的操作有着丰富的经验，同时，对于3D打印行业的应用，以及3D打印技术如何与设计更好地结合有深刻的见解。
• 
  • Barney Zhang
  • Stratasys售前技术和应用工程师
  • 上海师范大学工业设计系毕业。2013年加入Stratasys，担任售前技术和应用工程师，对于增材制造领域的专业知识有较深的积累。之前曾就职于软银旗下Aldebaran Robotics公司。

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