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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 答疑老师
  周子聪
- 大联大品佳集团应用工程师
- 周子聪先生任职于大联大品佳集团，拥有6年多的半导体行业经验，主要从事英飞凌汽车MCU的技术支持及推广工作，在大联大品佳集团，主要负责英飞凌Traveo、PSOC系列MCU的技术支持工作，助力产品推广与应用拓展。
- 答疑老师
  李志鹏
- 大联大品佳集团应用工程副理
- 李志鹏先生任职于大联大品佳集团，拥有10年多的半导体行业经验，主要从事汽车MCU的产品开发与技术支持工作，在大联大品佳集团，负责英飞凌Traveo、PSOC系列MCU的技术支持工作，为产品开发提供专业助力。
- 李鹏辉
- 大联大旗下品佳集团资深工程师
- 李先生于2007年毕业于西安外事学院，通信工程专业，于2012年加入大联大旗下品佳集团，李鹏辉是资深的电子工程师，在读卡器，嵌入式图形用户界面，智能消防，智能家居，Zigbee,等相关产品开发有丰富经验，目前负责NXP 产品的推广和支持工作。
- 汪德华
- 大联大旗下品佳集团资深工程师
- 汪先生于2004年毕业于洛阳理工学院，生产过程自动化专业，于2012年加入大联大旗下品佳集团，汪德华是资深的电子工程师，在NFC手机支付，RFID非接触，门禁智能卡，MCU，等相关领域产品开发有丰富经验，目前负责NXPIDEN产品的推广和技术支持工作。

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