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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 主讲老师
      林武璇 (Kevin Lin)
    • 村田 (中国) 投资有限公司
      高级产品工程师
    • 在村田公司担任无线模块高级产品工程师。曾在著名厂商中担任WiFi产品RF研发工程师。
    • 潘玟 (Pansy Pan)
    • 村田电子贸易 (深圳) 有限公司
      产品工程师
    • 目前在村田电子贸易 (深圳) 有限公司担任产品工程师, 负责 MLCC 产品在华南地区的推广工作。
    • 答疑老师
      易冬雪 (Cherlyn Yi)
    • 村田 (中国) 投资有限公司
      高级产品工程师
    • 在村田公司担任无线模块高级产品工程师,负责无线模块产品在中国区的技术支持与推广。熟悉 UWB与 WIFI 蓝牙模块应用和原理,接触并为多家著名可穿戴设备硬件等相关客户提供专业解决方案。
    • 张亦辰
    • 村田 (中国) 投资有限公司
      电源产品工程师
    • 毕业于华东师范大学,目前在村田(中国)投资有限公司担任产品工程师,负责电源产品在中国区的推广工作。