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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 李彦超 Kelly Li
    • 技术支持工程师
    • 现任大联大旗下世平集团技术支持工程师,拥有10多年电子研发和技术支持经验。近三年一直关注于无线技术的发展。
    • 张广学 John Zhang
    • 技术支持专员
    • 现任大联大旗下世平集团技术支持专员 ,工作资历约11年,专职负责嵌入式处理器、无线产品相关产品应用技术支持。目前正致力于TI 嵌入式处理器产品推广。
    • 朱博 Bill Zhu
    • 技术支持专员
    • 现任大联大旗下世平集团技术支持专员 , 毕业于南京林业大学电子专业,工作资历约6年,专职负责嵌入式处理器、无线产品相关电源IC应用技术支持。目前正致力于 TI 嵌入式处理器产品推展。
    • 蔡玉亚 Eric Cai
    • 技术支持副理
    • 现任大联大旗下世平集团技术支持副理 ,8年研发+7年FAE工作经验,熟悉TI EP产品,擅长TI C2K & MSP430 & Sitara支持,对TI Sitara产品有丰富的Schematic & Layout经验,擅长Linux操作系统。