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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 周小栋
- 新晔电子现场应用工程师
- 从事电子行业 19年，其中 8 年开关电源研发经验，目前任职新晔电子 FAE，负责 onsemi 功率电子：开关电源、EV-charger、UPS 电源（PWM IC、SIC MOSFET、IGBT、 Gate Driver、SIC DIODES）的市场推广和技术支持工作。
- 李朝佑（James Li）
- 新晔电子 FAE
- 从事电子行业近18年，其中6年开关电源研发经验，精通开关电源反激、LLC设计及应用。6年仙童半导体FAE工作，目前任职新晔电子FAE，负责onsemi功率电子、开关电源、电动工具（PWM IC, MOSFET, Gate driver, SIC DIODES）的推广工作。
- 张佳节
  Even Zhang
- 产品&项目经理
- Even Zhang拥有电子科学与技术专业学士学位，目前任职匠牛社区的产品与项目经理。近5年一直从事嵌入式产品设计规划与项目管理工作。主要应用方向有视频会议系统、多路高清视频录播/直播系统，单双目机器视觉系统、工业实时总线运动控制系统等。主要技术平台有TI AM572x、AM335x、DM816x、DLP等嵌入式处理器/MEMS器件。
- 李心阳
- 现任佳晔电子MCU事业部经理
- 上海交大电气工程研究生毕业，在工控行业及ARM嵌入式应用领域拥有超过10年的技术开发与产品推广经验。

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