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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 张桂荣
    • 客户经理
    • 张桂荣先生现任英特矽尔客户经理,负责公司产品和解决方案在中国区的市场需求促进及业务拓展活动。张桂荣先生在音响及数字信息处理领域拥有超过10年的工作经验。张先生毕业于香港中文大学,拥有电子工程学士学位(BSEE)。
    • Liwin Shu
    • 深圳代表处 FAE
    • 2005.6 华中科技大学 获硕士学位 2005.6 - 2008.9 艾默生网络能源公司 电源开发工程师 2008.9 –至今 英特矽尔公司深圳代表处 FAE
    • Fan Feng
    • Senior FAE 英特矽尔半导体中国有限公司
    • 2005年毕业于华中科技大学,获生物物理学理学硕士学位。 2005-2007通用电气医疗系统(中国)有限公司 研发工程师。 2008-至今 英特矽尔半导体中国有限公司 现场应用工程师。