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精彩问答

主题：创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

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  在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

  在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。

  
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  拓扑结构推荐： 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

  是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  
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  M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

  可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

  

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专家

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  • 阎金光
  • 首席技术培训师
  • 毕业于哈尔滨工程大学电子工程专业，早期工作于中国科学院沈阳科学仪器研制中心，从事线性及半桥开关电源产品的研发。2001年加入Power Integrations，作为高级技术应用支持工程师致力于开关电源IC的推广及应用工作。在对客户产品研发、生产提供技术支持的过程当中积累了丰富的现场及应用技术知识。目前工作于Power Integrations圣何塞总部，主要负责Power ..
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  • 张学武
  • Power Integrations
    电机驱动FAE工程师
  • 负责BridgeSwitch产品的技术方案推广及支持。曾就职于FUTURE ELECTRONICS，从事技术解决方案的推广与支持；长期专注于空调，空气净化器，冰箱等家电产品中电机驱动方案的开发和推广。拥有丰富的产品软硬件研发，项目管理等工作经验。

技术分享

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