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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 陈谦
    • IoT销售和业务拓展经理
    • 陈谦自2021 年加入泰科电子,担任数据与终端事业部物联网业务部门的销售和业务拓展职务。 陈谦在加入泰科电子之前曾在 Sirenza Microdevices、Smiths Interconnect和 Laird Technologies 等公司任职于研发,技术支持,销售,业务拓展等多个岗位。 陈谦拥有同济大学机电子信息工程学士学位。
    • 王曦
    • TE工业事业部高级工程师
    • 负责TE工业事业部继电器、电阻、开关、滤波器的应用推广和技术支持。
    • 梁云龙
    • TE家电事业部产品经理
    • 负责TE家电事业部快接端子的产品管理工作,拥有5年的连接器行业经验。
    • 程许之
    • TE家电事业部行业销售经理
    • TE家电事业部亚太区销售经理,超15年连接器行业经验,致力于深化客户关系并助力业务增长。