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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 谢旻
- 赛灵思工具与设计方法学高级应用工程师
- 具有8年数据中心计算以及网络的从业经验，2016年加入Xilinx，主要从事数据中心异构加速计算方面的工作，熟悉异构加速计算构架设计，云端集成。
- 胡勇(John Hu)
- Xilinx 数据中心高级战略应用工程师
- 加入Xilinx 公司 13年， FPGA逻辑设计专家，存储器专家，支持现场客户应用。
- 翁羽翔（Trevor Weng）
- 赛灵思工业,医疗市场经理
- 翁羽翔（Trevor Weng）先生现任赛灵思公司工业,医疗市场经理，负责亚太工业和医疗市场策略与业务发展工作。他在通信，半导体和嵌入式行业拥有超过11年的工作经验。在加入赛灵思之前，他曾经在Huawei和Intel从事嵌入式产品研发及营销工作。 Trevor持有同济大学自动化硕士学位。
- 耿立锋
- Arm高级营销经理
- 耿立锋先生于2011年加入Arm，担任中国区的物联网与嵌入式市场高级营销经理，负责白色家电、智慧能源、嵌入式视觉、工业控制、嵌入式系统控制、通用MCU以及物联网等应用领域。

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