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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 刘晓玲
    • 工程师
    • 美国University of La Verne 企业管理硕士,现任职于华邦电子特殊利基型内存产品企划部工程师,主要负责于市场开发及产品推广工作
    • 周宏一
    • 高级工程师
    • 台湾大叶大学机械工程硕士,现任职华邦电子Specialty DRAM营销高级工程师,负责内存市场营销及技术推广工作。
    • 林俊宏
    • 资深技术经理
    • 台湾交通大学科技管理硕士,现任职华邦电子FLASH营销资深技术经理,负责闪存市场营销及技术推广工作。
    • 曹伟林
    • 技术经理
    • 拥有10年以上半导体及系统产品行业经验,现任职于华邦电子FLASH营销技术经理,负责闪存内存市场营销及技术推广工作