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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 姚春雷
- 技术市场经理
- 现服务于意法半导体功率模拟器件市场部，主要负责高低边功率开关、隔离接口产品以及工业自动化，工业机器人及相关自动化系统解决方案的推广，具有20年以上工业自动化行也应用经验。
- 冯国柱
- 策略市场经理
- 现服务于意法半导体工业自动化技术创新中心，主要负责工业自动化，工业机器人及相关工业自动传感系统解决方案的规划与市场推广，在工业自动化及通讯领域有多年的工作经验。
- 丁江
- 世意法（北京）半导体研发有限责任公司
  技术市场经理
- 2010年毕业于北京理工大学，10年半导体行业工作经验，目前专职于BLE，Zigbee，LoRa，SubG等无线产品领域，负责意法半导体STM32无线连接产品的市场推广和商务拓展。目前ST具有2.4G和SubG完整的无线产品线，覆盖BLE，Zigbee，Thread，Matter，LoRa等技术，后续更有WiFi，UWB等相继面世，解决客户在IoT应用中无线连接的一站式需求。
- 王忠明
- 策略市场经理
- 2018年加入意法半导体工业自动化技术创新中心，负责工厂自动化和楼宇家居自动化等方面市场推广工作，20年半导体行业工作经验。

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