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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 戴梦麟
    • 亚太区技术经理兼SoC專家
    • 戴梦麟现为美高森美公司(Microsemi)亚太区技术经理兼SoC专家, 自2000年10月加入爱特公司(Actel)担任应用工程师到现在为止已在公司服务超过10年以上。 在此之前,戴先生原任香港通讯科技中心研发经理,负责ASIC设计部门。戴先生有超过10年丰富的ASIC 设计经验。戴先生持有香港城市大学的电子工程学士和计算机硕士学位