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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

- 宣晓鸣
- 飞思卡尔半导体汽车电子部技术市场工程师
- 负责中国区车载半导体尤其是单片机产品的推广。在加入飞思卡尔半导体之前，宣晓鸣在瑞萨电子（上海）有限公司及柯达（中国）投资有限公司任职，从事半导体的市场推广及医疗设备的研发工作，熟悉各种主流单片机产品性能。宣晓鸣拥有上海交通大学学士学位。
- 贾飒爽
- 应用工程师
- 5年软/硬件研发经验（MCU, ARM, SENSOR, FPGA），1年产品推广及相关经验。现就职于飞思卡尔半导体，负责消费类及工业用加速度，地磁，触摸传感器在亚太地区的产品应用及推广。 2007年毕业于江南大学控制理论与控制工程专业, 硕士学位
- 郭培栋
- 产品应用经理
- 现任职于飞思卡尔半导体，负责消费类及工业用压力传感器在亚太地区的产品应用及推广。拥有近15年压力相关产品的研发及应用经验，产品类型包括压力开关、压力变送器和压力传感器，涉及消费类，工业及汽车等多个领域。历任森萨塔科技产品设计工程师、上海自动化仪表股份有限公司产品研发工程师。 1997年毕业于上海大学自动化学院, 学士学位。
- 周序伟
- 应用工程师
- 毕业于上海交通大学电力电子与电力传动专业，工学硕士，目前就职于飞思卡尔半导体担任工业与多市场方案部应用工程师职位，主要负责微控制器产品在电机控制领域的应用研究。

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