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精彩问答

主题:创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

  • 在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用?

    在相似的耐压,过流参数下能完全替代IGBT。

  • 拓扑结构推荐: 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源,安森美推荐何种系统架构?例如,是否是基于“PFC(SiC) + LLC(SiC) + 12VSR(MOSFET) + 多相Buck(MOSFET)”的组合?

    是的,你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  • M3系列除了推荐的18V驱动外,可以用其他电压驱动吗?

    可以的,但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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专家

    • 林昌宏
    • 新唐科技工程师
    • 拥有多年的半导体行业工作经验,现任职于新唐科技台湾总公司,负责产品的市场技术支持工作。
    • 郝禹廸
    • 新唐科技工程师
    • 拥有多年的半导体行业工作经验,现任职于新唐科技台湾总公司,负责产品的技术支持与市场推广工作。
    • 黄俊豪
    • 新唐科技工程师
    • 拥有多年的半导体行业工作经验,现任职于新唐科技台湾总公司,负责产品的技术支持与市场推广工作。
    • 谢欣志
    • 新唐电子工程师
    • 拥有数年的IC设计和韧体撰写的半导体行业工作经验,现任职于新唐电子有限公司台湾总公司,负责产品的技术技持与市场推广工作。