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主题：瑞萨全新系列IGBT产品，高效全面，应用广泛

IGBT与可控硅的区别？

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。
请教专家：IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项？

失效模式有电压击穿，以及热损坏。失效机理为反冲电压过高，以及功率超过器件规格
从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开，需要多长时间？

需要看ＩＧＢＴ的关断性能。Ｔｆ时间有些长有些短，而且也依靠外部的放电回路

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专家

- 黄润枝
- NI 中国区工业领域渠道销售经理
- 2015 年获得爱丁堡大学信号处理与通信硕士学位，同年加入 NI 后先后担任过应用工程师，半导体大客户经理 , 2021 年任职于 NI 中国区渠道销售经理负责国内 20000+ 工业客户及新兴应用领域。
- 俞涛
- NI中国资深技术市场工程师
- 俞涛先生目前担任NI中国资深技术市场工程师一职，主要负责NI工业自动化领域产品在中国市场的推广和策略制定，并组织相关的技术研讨会和大型展会。他曾任的职位包括:负责产品技术支持的应用工程师；以及区域应用工程师，主要为中国华南地区工业用户提供现场产品和技术咨询。俞涛先生毕业于清华大学电子工程系，获硕士学位。
- 吴艳
- 应用工程师
- 吴艳女士目前担任NI中国的应用工程师一职，主要负责为中国地区客户提供技术应用支持和客户培训服务，负责NI产品在中国市场的推广和技术咨询。吴艳女士毕业于哈尔滨工业大学，获仪器科学与技术学科硕士学位。
- 陈强
- 应用工程师
- 陈强先生目前担任NI中国的应用工程师一职，主要负责为中国地区客户提供技术应用支持和客户培训服务，负责NI产品在中国市场的推广和技术咨询。他曾任的职位包括：中国科学院光电技术研究所研发工程师，陈强先生毕业于华中科技大学，获光电子工程学士学位，毕业于中国科学院，获信号与信息处理硕士学位。

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