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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

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- 黄润枝
- NI 中国区工业领域渠道销售经理
- 2015 年获得爱丁堡大学信号处理与通信硕士学位，同年加入 NI 后先后担任过应用工程师，半导体大客户经理 , 2021 年任职于 NI 中国区渠道销售经理负责国内 20000+ 工业客户及新兴应用领域。
- 俞涛
- NI中国资深技术市场工程师
- 俞涛先生目前担任NI中国资深技术市场工程师一职，主要负责NI工业自动化领域产品在中国市场的推广和策略制定，并组织相关的技术研讨会和大型展会。他曾任的职位包括:负责产品技术支持的应用工程师；以及区域应用工程师，主要为中国华南地区工业用户提供现场产品和技术咨询。俞涛先生毕业于清华大学电子工程系，获硕士学位。
- 吴艳
- 应用工程师
- 吴艳女士目前担任NI中国的应用工程师一职，主要负责为中国地区客户提供技术应用支持和客户培训服务，负责NI产品在中国市场的推广和技术咨询。吴艳女士毕业于哈尔滨工业大学，获仪器科学与技术学科硕士学位。
- 陈强
- 应用工程师
- 陈强先生目前担任NI中国的应用工程师一职，主要负责为中国地区客户提供技术应用支持和客户培训服务，负责NI产品在中国市场的推广和技术咨询。他曾任的职位包括：中国科学院光电技术研究所研发工程师，陈强先生毕业于华中科技大学，获光电子工程学士学位，毕业于中国科学院，获信号与信息处理硕士学位。

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