2010年6月24日
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2009年9月15日
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2009年8月6日
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2008年12月16日
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2008年7月23日
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2008年6月24日
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2004年12月15日
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2004年7月29日
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2002年4月29日
14:30~16:30
在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？
在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐： 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？
是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？
可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值
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