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精彩问答

主题：创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

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  在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

  在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。

  
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  拓扑结构推荐： 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

  是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

  
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  M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

  可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

  

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专家

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  • 技术营销主管
  • 目前，Colin Liu任亚讯科技有限公司（eASIC代理）技术营销主管之职，负责业务拓展、技术培训和应用支持。刘先生拥有多年从事半导体产品和系统的营销与销售经验，致力于推广知名半导体公司和创业公司的各种产品，包括AMD、AMIS、Actel、Acoustic、Catalyst、Clare、Crimson、eASIC、Entropic、FyreStorm、Integration Associates、Jam-Tech、Legerity、..

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