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在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？

在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。
拓扑结构推荐：对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？

是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的
M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？

可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

- 陈黎 (Oliver Chen)
- NXP
  资深商务拓展经理
- 电子工程工学硕士，负责恩智浦大中华区Edge AI和机器人相关的市场工作。在恩智浦半导体公司工作时间超过十五年，在产品研发，系统应用，客户支持和市场营销领域都拥有丰富的经验，对芯片产业、生态环境、市场变化有深刻的洞察和理解。
- 范文廷
- 恩智浦车载网络产品线战略和
  业务拓展高级经理
- 2012年加入恩智浦半导体德国汉堡分部，近15年汽车电子行业经验, 目前负责恩智浦车载网络产品线全球战略和业务拓展工作，主要推进车载网络产品(CAN,LIN, 汽车以太网) 在新型汽车电子电气架构中的应用。
- 刘鹏
- 恩智浦半导体
  车载网络产品高级市场经理
- 毕业于哈尔滨工业大学，20年的半导体及相关行业从业经验。现负责恩智浦车载网络接口产品在中国区的市场推广工作。
- 冯欢
- 上海摩联信息技术有限公司
  产品总监
- 上海摩联信息技术有限公司产品总监，负责软件产品及解决方案。超过20年移动通信，数字安全相关产业经验。

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