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随着 AI 数据中心、电动汽车（EV）及可再生能源等应用快速发展，系统架构正朝着更高电压与更高功率密度演进。相比传统硅基功率半导体，宽禁带（WBG）器件具备更高效率与更优异的性能优势。其中，氮化镓（GaN）技术凭借其高开关频率特性，已成为提升电源系统效率与功率密度的重要选择。然而，受限于硅基 GaN 器件的耐压能力，高压应用长期以来仍以碳化硅（SiC）为主。采用 Power Integrations 专有蓝宝石基板氮化镓（GaN-on-Sapphire）技术打造的 GaN HEMT，具备实现超高耐压等级且兼顾实用性的独特优势，使其成为一种现成且极具吸引力的 SiC 替代方案。

本次演讲将介绍 Power Integrations 采用专有蓝宝石基板氮化镓技术开发的业界首创 1250V 与 1700V PowiGaN™ 功率器件，并探讨其可靠性及系统应用优势。此外，还将分享最新的 2200V PowiGaN™ 技术进展，说明其如何突破现有商用氮化镓技术的电压限制，进一步拓展至 AI 数据中心、电动汽车、光伏、高压直流输电（HVDC）及工业电力转换等高压应用领域，为下一代高效率、高功率密度电源系统提供全新解决方案。

专家介绍

胡早胜 现场应用工程师团队经理 现任 Power Integrations 公司 现场应用工程师团队经理。长期专注于电力电子产品的一线开发工作，熟悉电源，电机及照明驱动器等产品的开发流程，以及 EMC、安规和性能的认证。

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