在线座谈

按存储器技术点播

• 2013年4月10日

  10:00~12:00

  

  • Winbond FLASH闪存记忆体/DRAM内存记忆体在网路通讯电子产品的应用
  • 简 介：本研讨会将简要介绍网路通讯市场趋势并讨论CPU处理搭配以及如何基于应用来选择适当的Flash闪存记忆体/DRAM内存记忆体。 参加者将在此座谈会学习到的内容: 网路通讯产品与Flash闪存记忆体/DRAM内存记忆体的搭配。 哪种类型的工程师应该参与此座谈会: 网路通讯产品/系统整合产品软件及硬件工程师。 目标听众: 网路通讯产品/系统整合产品软件及硬件工程师。
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• 2012年10月24日

  10:00~12:00

  

  • 应用串行NOR闪存提升内存处理能力
  • 简 介：在嵌入式系统中，NOR闪存一直以來仍然是较受青睐的非易失性内存,NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品。虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案，但NOR仍然是低密度解决方案的首选。本次演讲将讨论低密度NOR如何基于性能和成本的考虑，在可预见的未来保持竞争力。
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• 2012年9月5日

  10:00~12:00

  

  • 瑞萨单片机RX62T在数字电源上的应用
  • 简 介：瑞萨电子提供了专用于功率因数校正(PFC)的芯片和致力于提高系统效率的RX62T族高性能微控制器，以为客户提供完善的RX62T在数字电源的解决方案. 当前国家大力推行节能减排、低碳经济, 推动了变频功率产品市场的繁荣。 瑞萨电子的RX62T族高性能微控制器，具有100MHE 的最大工作频率及高精度PWM功能，设计用于数字电源相关应用，特别适用于太阳能变频器﹑UPS..
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• 2011年9月22日

  10:00~12:00

  

  • 杂合能存储的优势远远大于劣势
  • 简 介：考虑使用杂合能存储的工程师必须权衡很多因素。他们可能会对提高双存储系统成本或复杂性的可能性提出疑问。他们可能关心在一个元件内均衡2项技术所需的电子元件。这类决策者还可能会将存储解决方案开发时间视为杂合的潜在劣势。然而，考虑到将传统电池与针对更高的电压电平进行了优化的超级电容配对使用的大量重要优势，杂合的价值就变得明显而引人注目了。
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• 2010年8月11日

  10:00~12:00

  

  • 采用高级芯片和存储器IP实现800-MHz DDR3性能
  • 简 介：FPGA应用需要较高的存储器带宽，以及更好的性能。为满足这些需求，我们提供更快、更好，使用更方便的外部存储器解决方案。在这次网播中，您将学到： - 怎样在我们的28-nm Stratix? V FPGA中实现800-MHz DDR3接口 - 怎样通过广泛的验证和精确的时序模型来增强我们的存储器知识产权(IP) - 怎样采用我们的存储器解决方案进一步提高效能
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• 2010年3月10日

  10:00~12:00

  

  • 学习如何解决视频设计的外部存储器瓶颈问题
  • 简 介：广播视频处理应用越来越需要进行大量的存储器访问。一般而言，在缩放和去隔行处理中，需要对多幅视频帧进行高速缓存。怎样克服这一瓶颈问题，降低外部存储器成本呢? 您可以尝试一下多端口前端高性能存储器控制器。 请观看这一网播，了解为广播视频应用提供高效存储器访问功能的多端口前端存储器控制器。您还将了解到：   -  怎样实现..
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• 2009年12月11日

  10:00~12:00

  

  • 学习如何用 ISE 设计套件提高您的FPGA 设计效率
  • 简 介：从I/O规划和设计输入直至实现和验证，各种常见的瓶颈问题，赛灵思ISE?设计套件能够帮您克服！同时，还将帮助您以更快的设计速度，满足并实现客户越来越严苛的高性能 、低功耗、低成本的多重需求！ “注册参加此次座谈”，您将得到： - 如何利用ISE设计套件内所包含的赛灵思独有的工具、技术和 IP，  实现其开发目标 - 如何利用 ISE设计套件..
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• 2009年11月12日

  10:00~12:00

  

  • 利用赛灵思Virtex-6 和 Spartan-6 FPGA 创建更快、更经济和功耗更低的存储器接口
  • 简 介：新一代通信、网络和消费类电子产品的开发，对存储器的性能和密度提出了更高的的需求。同时，消费者和制造商也要求更低的初始成本和运营成本，最好还是受环境影响最小的解决方案。也就是说， 要求不断提高存储器性能和密度的同时，还要求存储器成本和功耗不断降低。这， 无疑让系统设计者的工作变得越来越艰难。 幸运的是，赛灵思设计了 Virtex-6 和 Spart..
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• 2006年11月23日

  10:00~12:00

  

  • 飞思卡尔MRAM(磁阻式随机存取存储器) – 一种新型存储器芯片
  • 简 介：MRAM(磁阻式随机存取存储器)是电池后备供电SRAM (BBSRAM) 的理想替代产品。 飞思卡尔TM的MRAM器件是一种高速的、非易失性存储器，具有几乎无限的使用寿命。 它所具有的综合性能是其它任何半导体存储器件都不可能全部拥有的。 飞思卡尔的第一款商用MRAM产品的名称为MR2A16A，适用于多种商业应用， 包括联网、安全、数据存储、游戏和打印机等。 MR2A16..
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• 2006年5月17日

  10:00~12:00

  

  • ST手机应用的创新的存储器解决方案
  • 简 介：无
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