在线座谈

按存储器技术点播

• 2016年9月20日

  10:00~12:00

  

  • FRAM FRID在物联网世界的创新应用
  • 简 介：富士通在开发高质量、高可靠性存储器 FRAM的方面，具有17年以上的丰富量产经验，并在智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，已取得卓越的应用成果。 与时俱进，富士通正积极投入到物联网市场开拓，利用FRAM的低功耗，高速写入，放射线耐性等特点研发独具特色的FRAM RFID的芯片，面向物联网，FA，生化，医疗电子设备等领域提供创新的..
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• 2015年11月24日

  10:00~12:00

  

  • InstaSPIN-FOC电机控制解决方案
  • 简 介：传统FOC电机设计中，采用传感器既会增加成本，还会降低系统可靠性。佳晔电子在TI InstaSPIN-FOC技术的基础上研发出适合多个行业的电机驱动器，可在极短时间内完成电机参数的精确识别并可确保电机稳定运转，从而帮助用户简化开发，降低系统成本与复杂性。讲座将会介绍佳晔电子针对工控和嵌入式行业研发的多个解决方案与相应的板卡套件。
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• 2014年12月25日

  10:00~12:00

  

  • 新唐最新一代100MHz、内建2MB串行闪存Cortex?-M4 NUC505
  • 简 介：新唐科技凭借多年优异的Cortex?-M MCU经验，最新力推带有24-bit Audio Codec及高容量128KB内存新产品Cortex?-M4 NuMicro? NUC505系列。不同于市面上昂贵的DSP芯片，NUC505系列提供了高性价比Cortex?-M4 DSP芯片之首选。NUC505系列以ARM Cortex?-M4核心，搭配DSP（数字信号处理器）与FPU（浮点运算单元），运行速度高达100 MHz，内置128 KB 内存以及2 MB SP..
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• 2013年11月6日

  10:00~12:00

  

  • 富士通FRAM---最佳数据存储解决方案
  • 简 介：FRAM利用铁电晶体的偏振极化特性实现数据存储,其特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，而且不存在如E2PROM的最大写入次数的问题，目前富士通半导体的FRAM的读写次数可达1万亿次(接近无限次)。FRAM可广泛应用于工业，仪表，医疗，汽车等行业。富士通半导体控制着FRAM的整个生产程序,包括芯片的研发及量产,从而保证了产品的高质量和稳定供应。自从..
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• 2013年9月11日

  10:00~12:00

  

  • 提高系统可靠性之NAND闪存的应用设计
  • 简 介：本次座谈将介绍NAND FLASH的应用注意事项，以及如何设计应用以适应这些限制。我们列举了一些范例以加深相关概念的理解。通过本次座谈，软件研发工程师可以评估现有的设计是否符合NAND的使用要求，进而达到提高系统可靠性的目的。
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• 2013年4月10日

  10:00~12:00

  

  • Winbond FLASH闪存记忆体/DRAM内存记忆体在网路通讯电子产品的应用
  • 简 介：本研讨会将简要介绍网路通讯市场趋势并讨论CPU处理搭配以及如何基于应用来选择适当的Flash闪存记忆体/DRAM内存记忆体。 参加者将在此座谈会学习到的内容: 网路通讯产品与Flash闪存记忆体/DRAM内存记忆体的搭配。 哪种类型的工程师应该参与此座谈会: 网路通讯产品/系统整合产品软件及硬件工程师。 目标听众: 网路通讯产品/系统整合产品软件及硬件工程师。
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• 2012年10月24日

  10:00~12:00

  

  • 应用串行NOR闪存提升内存处理能力
  • 简 介：在嵌入式系统中，NOR闪存一直以來仍然是较受青睐的非易失性内存,NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品。虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案，但NOR仍然是低密度解决方案的首选。本次演讲将讨论低密度NOR如何基于性能和成本的考虑，在可预见的未来保持竞争力。
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• 2012年9月5日

  10:00~12:00

  

  • 瑞萨单片机RX62T在数字电源上的应用
  • 简 介：瑞萨电子提供了专用于功率因数校正(PFC)的芯片和致力于提高系统效率的RX62T族高性能微控制器，以为客户提供完善的RX62T在数字电源的解决方案. 当前国家大力推行节能减排、低碳经济, 推动了变频功率产品市场的繁荣。 瑞萨电子的RX62T族高性能微控制器，具有100MHE 的最大工作频率及高精度PWM功能，设计用于数字电源相关应用，特别适用于太阳能变频器﹑UPS..
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• 2011年9月22日

  10:00~12:00

  

  • 杂合能存储的优势远远大于劣势
  • 简 介：考虑使用杂合能存储的工程师必须权衡很多因素。他们可能会对提高双存储系统成本或复杂性的可能性提出疑问。他们可能关心在一个元件内均衡2项技术所需的电子元件。这类决策者还可能会将存储解决方案开发时间视为杂合的潜在劣势。然而，考虑到将传统电池与针对更高的电压电平进行了优化的超级电容配对使用的大量重要优势，杂合的价值就变得明显而引人注目了。
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• 2010年8月11日

  10:00~12:00

  

  • 采用高级芯片和存储器IP实现800-MHz DDR3性能
  • 简 介：FPGA应用需要较高的存储器带宽，以及更好的性能。为满足这些需求，我们提供更快、更好，使用更方便的外部存储器解决方案。在这次网播中，您将学到： - 怎样在我们的28-nm Stratix? V FPGA中实现800-MHz DDR3接口 - 怎样通过广泛的验证和精确的时序模型来增强我们的存储器知识产权(IP) - 怎样采用我们的存储器解决方案进一步提高效能
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