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精彩问答

主题：瑞萨全新系列IGBT产品，高效全面，应用广泛

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  IGBT与可控硅的区别？

  IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制； 可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。

  
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  请教专家：IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项？

  失效模式有电压击穿，以及热损坏。失效机理为反冲电压过高，以及功率超过器件规格

  
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  从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开，需要多长时间？

  需要看ＩＧＢＴ的关断性能。Ｔｆ时间有些长有些短，而且也依靠外部的放电回路

  

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专家

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  • 张睿
  • 应用工程师
  • 工学硕士，在功率半导体、射频电路、电力电子等领域具有丰富的工程研发和仿真经验。现就职于COMSOL中国，负责COMSOL软件的技术支持和客户咨询工作，主要涉及电磁场相关领域。
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  • 张凯
  • COMSOL 中国
    资深应用工程师
  • 张凯拥有物理学硕士学位，多年来一直负责 COMSOL 软件的技术支持和客户咨询工作，在电磁、传热、结构等领域拥有丰富的仿真建模经验。
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  • 施翀
  • 应用工程师
  • 施翀毕业于复旦大学材料科学系材料工程专业，从事电化学防腐蚀研究。2014年加入COMSOL，主要负责COMSOL软件的技术支持和客户咨询工作，涉及电化学、传热、化工、流体等领域。
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  • 王海莉
  • 应用工程师
  • 王海莉博士毕业于中科院半导体研究所，获得博士学位。随后在华为从事光通信用半导体光电器件研究工作。2014 年加入 COMSOL，负责 COMSOL 软件的技术支持和客户咨询工作，主要涉及高频电磁场、光学、半导体等领域。

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