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IGBT与可控硅的区别？

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。
请教专家：IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项？

失效模式有电压击穿，以及热损坏。失效机理为反冲电压过高，以及功率超过器件规格
从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开，需要多长时间？

需要看ＩＧＢＴ的关断性能。Ｔｆ时间有些长有些短，而且也依靠外部的放电回路

- 李朝佑（James Li）
- 新晔电子 FAE
- 从事电子行业近18年，其中6年开关电源研发经验，精通开关电源反激、LLC设计及应用。6年仙童半导体FAE工作，目前任职新晔电子FAE，负责onsemi功率电子、开关电源、电动工具（PWM IC, MOSFET, Gate driver, SIC DIODES）的推广工作。
- 张佳节
  Even Zhang
- 产品&项目经理
- Even Zhang拥有电子科学与技术专业学士学位，目前任职匠牛社区的产品与项目经理。近5年一直从事嵌入式产品设计规划与项目管理工作。主要应用方向有视频会议系统、多路高清视频录播/直播系统，单双目机器视觉系统、工业实时总线运动控制系统等。主要技术平台有TI AM572x、AM335x、DM816x、DLP等嵌入式处理器/MEMS器件。
- 李心阳
- 现任佳晔电子MCU事业部经理
- 上海交大电气工程研究生毕业，在工控行业及ARM嵌入式应用领域拥有超过10年的技术开发与产品推广经验。
- Roman Wang
- 技术支持
- 现就职于深圳新晔电子,负责TI LPRF产品技术支持工作，之前一直从事无线对讲机，手机，蓝牙产品的开发设计，具有丰富无线射频电路的开发设计经验。

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